در این تحقیق لایه های نازک مس بر زیر لایه gaas نوع n به روش های الکتروانباشت و الکترولس رشد داده شدند. روش های الکتروانباشت و الکترولس هر دو به دلیل سادگی، انجام در شرایط متعارفی و نیز مقرون به صرفه بودن روش های مناسبی برای تولید لایه های نازک می باشند. در الکتروانباشت به منظور رشد لایه های مس بر زیرلایه gaas از تکنیک های پتانسیل ثابت و جریان ثابت استفاده شد و با استفاده از تصاویر sem شرایط مناسب برای انباشت لایه هایی با کیفیت مناسب تعیین گردید. از آنجا که در روش الکترولس دمای محلول و مدت زمان انباشت نقش مهمی در کیفیت لایه دارد کیفیت لایه های ساخته شده به این روش با تغییر دمای محلول و مدت زمان انباشت به کمک تصاویر sem بررسی شد. به وسیله آنالیز edx میزان خلوص لایه های انباشت شده به هر دو روش بررسی شد. طیف xrd لایه های مس الکتروانباشت شده بر زیرلایه gaas با بافت های قوی (111) و (111)، (100) در پتانسیل ثابت 0/6- ولت و جریان های انباشت متفاوت و همچنین طیف xrd لایه های مس الکترولس شده در دماهای 67-25 مورد مطالعه قرار گرفت. ناهمواری لایه های ساخته شده به روش الکتروانباشت در جریان های انباشت 30-5 میلی آمپر و لایه های مس الکترولس شده در دماهای 57-37 به کمک میکروسکوپ نیروی اتمی تعیین گردید.