نانوساختار ها واحد های ساختمانی اصلی برای دسته وسیعی از نانو ابزارها هستند. از?زمان کشف نانولوله های کربنی ساخت و شناسایی سایر مواد یک بعدی بسیار مورد توجه قرار گرفته است . نانومیله ها، نانوسیم ها، نانونوار ها و نانولوله ها دسته ای از نانومواد ناهمسانگرد هستند که به عنوان ساختار های شبه تک بعدی مورد بررسی قرار می گیرند. نانو سیم ها موادی خوش آتیه در بسیاری از کاربرد های جدید از سنسور های شیمیایی و بیولوژیکی تا ابزارهای الکترونیکی و نوری هستند. این امر نه تنها به خاطر هندسه ی منحصر به فردآنها است بلکه به دلیل خواص فیزیکی ویژه شامل خواص الکتریکی، مغناطیسی، نوری و شیمیایی نیز می باشد. به همین منظور در این پژوهش سنتز، شناسایی ساختار و خواص نانوسیم های آلیاژی co-al و co-al-fe که توسط روش ساده الکتروانباشت شیمیایی در حفرات قالب تولید می شوند مورد بررسی قرار گرفته است. در این پایان نامه، اکسید آلومینیوم آندی aao)) به عنوان قالب برای ساخت آرایه ای بسیار منظم از نانوسیم های آلیاژی مورد استفاده قرار گرفت. این قالب به روش آندایز دو مرحله ای ساخته شد. می توان ضخامت لایه سدی را توسط یک فرآیند الکتروشیمیایی اضافی بعد از اتمام آندایز اصلاح کرد. نازک سازی لایه سدی باعث ایجاد ساختار های ریشه ای در انتهای حفره ها شده و الکتروانباشت نانوسیم ها داخل قالب را مقدور می سازد. در ادامه، اثر کسر مولی، ph محلول الکتروانباشت، دمای تابکاری، فرکانس و شکل موج ولتاژ متناوب روی ساختار کریستالی و خواص مغناطیسی نمونه های انباشت شده مورد بررسی قرار گرفت. همچنین جهت گیری کریستالی نانو سیم های بدست آمده، توسط تکنیک xrd مشخص شد. حلقه های هیسترزیس بوسیله دستگاه مغناطومتر نیروی گرادیان متناوب (agfm) تعیین و مشخص شد که این نانوسیم ها دارای یک ناهمسانگردی مغناطیسی مشخص هستند

در این پایان نامه به سنتز و بررسی خواص نانوسیم های آلیاژی کبالت- قلع پرداخته شده است. از قالب اکسید آلومینیوم متخلخل آندی (aao) برای ساخت آرایه نانوسیم های مغناطیسی کبالت- قلع استفاده می شود. لایه متخلخل aao با استفاده از روش آندایز دو مرحله ای بر روی فویل آلومینیوم تهیه می شود. از فویل آلومینیوم با درصد خلوص بالا (9/99 درصد) استفاده می کنیم که آن را در جریان گاز آرگون در دمای 400 درجه سانتیگراد به منظور از بین بردن تنش های مکانیکی و رفع نواقص ساختار بلوری، تحت تابکاری حرارتی قرار می دهیم. در ادامه نمونه در محلول الکترولیت شامل اسید پرکلریدریک و اتانول الکتروپولیش می شود تا سطح نمونه یکنواخت شود. آندایز مرحله اول با اعمال پتانسیل ثابت در محلول آبی 3/0 مولار اسید سولفوریک، که ولتاژ ثابت اعمالی 25 ولت می باشد، انجام می گیرد. بعد از آندایز مرحله اول، لایه متخلخل آلومینا با استفاده از سونش شیمیایی در محلول آبی شامل مخلوطی از اسید فسفریک و اسید کرومیک در دمای 70 درجه سانتیگراد انجام می گیرد. آرایه نانوحفره های منظم بعد از آندایز مرحله دوم که با شرایطی مشابه با آندایز مرحله اول انجام می گیرد، بدست می آید. زمان آندایز مرحله اول و دوم به ترتیب 7 ساعت و 30 دقیقه می باشد. بعد از آندایز مرحله دوم ار تکنیک کاهش تدریجی ولتاژ تا 8 ولت، به منظور کاهش ضخامت لایه سدی مورد استفاده قرار می گیرد تا در ادامه الکتروانباشت بهتری داشته باشیم. طی این فرآیند ولتاژ در 8 ولت ثابت نگه داشته می شود تا ضخامت لایه سدی در تمام نقاط یکنواخت شود. از تصاویر sem و afm برای بررسی نظم و اندازه گیری سایز حفره ها پس از فرآیند آندایز مرحله اول، دوم و سونش شیمیایی استفاده می شود. تصاویر نشان می دهد که قطر حفره ها حدود 9/29 نانومتر، فاصله بین تخلخلی 9/49 نانومتر و قطر سل حدود 3/44 نانومتر اندازه گیری شده است. فرآیند الکتروانباشت با استفاده از یک سل دو الکترودی انجام می-گیرد. قالب به عنوان یکی از الکترود ها و قطعه ای از پلاتین به عنوان الکترود دیگر استفاده می شود. محلول الکترولیت با استفاده از coso4 و snso4 با سه ph متفاوت (2، 4 و 6) تهیه می شود. الکتروانباشت متناوب تحت ولتاژ قله تا قله 30 ولت و فرکانس 200 هرتز به مدت 5 دقیقه انجام می گیرد. از sem برای مشاهده نانوسیم ها استفاده می شود زمانی که نانوسیم ها را با استفاده از محلول 1 مولار از سود که قالب را حل می کند، از آن خارج کرده ایم. از تکنیک xrd برای بررسی ساختار بلوری نانوسیم ها استفاده می کنیم. برای بررسی خواص مغناطیسی نانوسیم ها از دستگاه agfm استفاده می شود. برای بررسی ترکیب نانوسیم های آلیاژی co1-xsnx از طیف edx استفاده می شود. اندازه گیری خواص مغناطیسی نشان می دهد که خواص مغناطیسی نانوسیم های آلیاژی ساخته شده تحت تاثیر غلظت، ترکیب، ph محلول الکترولیت، فرکانس و شکل موج الکتروانباشت و فرآیند تابکاری می باشد. از طرف دیگر میدان وادارندگی و نسبت مربعی بودن نانوسیم های آلیاژی ساخته شده با نانوسیم های کبالت خالص مقایسه و مشخص می شود با افزایش میزان قلع در ساختار نانوسیم ها خواص تغییر زیادی کرده اند. مشاهدات نشان می دهد که خواص مغناطیسی نانوسیم های آلیاژی با تابکاری تا دمای 575 درجه سانتیگراد، تغییرات زیادی داشته است. اما ناسیم های کبالت خالص تحت تاثیر تابکاری حرارتی تغییر چندانی در خواص مغناطیسی نشان نمی دهند. نتایج تجربی نشان می دهد که شکل موج سینوسی و فرکانس 200 هرتز مناسب ترین شرایط برای الکتروانباشت نانوسیم هاست. همچنین مشخص شد خواص مغناطیسی نانوسیم ها با تغییر ph ،تغییر می کند.

دی اکسید تیتانیوم (tio2 ) نیمه رسانایی است که به علت داشتن خواص فیزیکی جالب، مورد توجه بسیاری از محققین قرار گرفته است. جفت الکترون – حفره ی تولید شده در دی اکسید تیتانیوم عامل اصلی فعالیت فوتوکاتالیستی این نیمه رسانا محسوب می شود. افزایش طول عمر جفت الکترون – حفره ، بازدهی فوتوکاتالیستی آن را بالا می برد. یکی از راهکارهای موثر برای این عمل، اضافه کردن نانو ذرات فلزی مانند au ، ag ، pd ، pt می باشد. در این پایان نامه با استفاده از روش احیای شیمیایی نانو ذرات طلا را تولید و پس از طی فرآیندی نانو کاتالیست au/tio2 تهیه شد. خواص اپتیکی آن توسط طیف سنجی ماورای بنفش – مرئی (uv-vis) بررسی شد و ساختار آن توسط آنالیزهای پراش اشعه ایکس ( xrd) و میکروسکوپ الکترونی روبشی (sem) مورد مطالعه قرار گرفت. نمونه های پودری را در سه درصد مختلفی از طلا (%0.5، %1، %1.5) تهیه کردیم.درآنالیزxrd پیک مشخصه طلا و دی اکسید تیتانیوم ظاهر شد و همچنین پیکهای تیز و باریک موجود نشان دهنده کریستالی بودن نانو مواد بودند. آنالیز sem این نمونه ها نشان داد که نمونه %1 طلا نانو ذراتی به مراتب منظم تر را تشکیل داده اند. برای آزمایش فوتوکاتالیستی از دستگاه فوتو رآکتور استفاده شد. در این دستگاه رنگ مورد آزمایش به همراه نانو ذرات au/tio2 ریخته شدودر حضور لامپ uv، تخریب رنگ با گرفتن طیف uv-vis بررسی شد.بررسی این طیفها نشان داد که نمونه %1 طلا بیشترین تخریب را داشته است. در گام دوم نمونه %1 درصد طلا با روش اسپری روی شیشه لایه نشانی شد و در سه دمای مختلف (400، 500، 600) درجه سانتیگراد پخت داده شد. از این سه نمونه طیف uv-vis گرفته شد و نمودار گاف انرژی آن رسم شد. طیفها نشان دادند که نمونه ای که در 500 درجه سانتیگراد پخت داده شده در طول موج بلندتری جذب داشته است و این نشان دهنده آنست که گاف انرژی آن نسبت به نمونه های دیگر کمتر است. گاف انرژی کمتر برابر است با پوشش دادن طول موج های بلندتر.

در این پایان نامه با استفاده از قالب اکسید آلومینیوم متخلخل آندی نانوسیم های کبالت با قطرهای 20، 35 و 150 نانومتری ساخته شدند. ساختار و خواص مغناطیسی نمونه ها با استفاده از میکروسکوپ الکترونی روبشی، پراش پرتوی x، دستگاه مغناطوسنج نیروی گرادیان متناوب و میکروسکوپ نیروی اتمی مورد بررسی قرار گرفتند. بیشترین میدان وادارندگی و نسبت مربعی بودن برای نانوسیم کبالت با قطر 20 نانومتر (میدان وادارندگی 1711 و نسبت مربعی بودن 94/0) در مقایسه با نانوسیم های کبالت با قطر 35 و 150 نانومتر بدست آمد. سپس اثر اضافه کردن روی بر خواص مغناطیسی نانوسیم ها مورد بررسی قرار گرفت. در نتیجه ی افزایش روی به محلول الکترولیت میدان وادارندگی نانوسیم های کبالت با قطر 20 نانومتر از 1711 اورستد به 255 اورستد و نسبت مربعی بودن این نانوسیم ها از 94/0 تا 83/0 تغییر یافت و میدان وادارندگی نانوسیم های کبالت با قطر 35 نانومتر از 1522 اورستد به 274 اورستد و نسبت مربعی بودن آن ها از 87/0 تا 49/0 اندازه گیری شد. همچنین تغییرات میدان وادارندگی و نسبت مربعی بودن در مورد نانوسیم های با قطر 150 نانومتر به ترتیب از 1306 اورستد تا 466 اورستد برای میدان وادارندگی و 82/0 تا 41/0 برای نسبت مربعی بودن اندازه گیری شد. سپس تاثیر تابکاری بر روی خواص مغناطیسی نانوسیم ها در دمای 200 تا دمای 575 درجه ی سانتی گراد مورد بررسی قرار گرفت و مشاهده شد که در اثر تابکاری بیشترین تغییرات میدان وادارندگی مربوط به نانوسیم آلیاژی با قطر 20 نانومتر با 10 درصد روی و 90 درصد کبالت در محلول الکترولیت الکتروانباشت می باشد و مقدار آن 2120 اورستد و نسبت مربعی بودن، نزدیک به یک اندازه گیری شد. در نهایت طیف پراش پرتوی x چند نمونه از نانوسیم های ساخته شده مورد بررسی و تحلیل قرار گرفت.

در این پایان نامه به سنتز و بررسی خواص نانوسیم های آلیاژی کبالت-آهن- قلع با فرمول [co70fe30]100-xsnx برای مقادیر پرداخته شده است. از قالب اکسید آلومینیوم آندی (aao) برای ساخت آرایه نانوسیم های مغناطیسی کبالت-آهن- قلع استفاده شد. قالب aao با استفاده از روش آندایز دو مرحله ای بر روی فویل آلومینیوم تهیه شد. از فویل آلومینیوم با درصد خلوص بالا (9/99 درصد) استفاده کردیم که آن را در جریان گاز آرگون در دمای 400 درجه سانتیگراد به منظور از بین بردن تنش های مکانیکی و رفع نواقص ساختار بلوری، تحت تابکاری حرارتی قرار دادیم. در ادامه نمونه در محلول الکترولیت شامل اسید پرکلریدریک و اتانول الکتروپولیش شد تا سطح نمونه یکنواخت شود. آندایز مرحله اول در محلول آبی 3/0 مولار اسید سولفوریک به عنوان الکترولیت، با اعمال ولتاژ ثابت 25 ولت، انجام گرفت. بعد از آندایز مرحله اول، قالب آلومینا تحت سونش شیمیایی در محلول آبی مخلوطی از اسید فسفریک و اسید کرومیک، در دمای 70 درجه سانتیگراد، قرارگرفت. آرایه نانوحفره های منظم بعد از آندایز مرحله دوم که با شرایطی مشابه با آندایز مرحله اول انجام می گیرد، بدست می آید. زمان آندایز مرحله اول و دوم به ترتیب 7 ساعت و 30 دقیقه می باشد. بعد از آندایز مرحله دوم از روش کاهش پله ای ولتاژ تا 8 ولت، به منظور کاهش ضخامت لایه سدی، استفاده شد تا در ادامه الکتروانباشت بهتری داشته باشیم. در طی این فرآیند به مدت 3 دقیقه ولتاژ در 8 ولت ثابت نگه داشته شد، تا ضخامت لایه سدی در تمام نقاط یکنواخت شود. از تصاویر sem و afm برای بررسی نظم و اندازه گیری سایز حفره ها در طی فرآیند آندایز و سونش استفاده شد. تصاویر نشان می دهد که قطر حفره ها حدود 37 نانومتر، فاصله بین تخلخلی 50 نانومتر و قطر سل حدود 45 نانومتر اندازه-گیری شده است. فرآیند الکتروانباشت با استفاده از یک سل دو الکترودی انجام گرفت. قالب aao به عنوان یکی از الکترود ها و قطعه ای از پلاتین به عنوان الکترود دیگر استفاده شد. محلول الکترولیت با استفاده از نمک های coso4.7h2o، feso4.7h2o، snso4.7h2o، سدیم گلوکونات و اسید اسکوربیک با چهار ph متفاوت (2،3، 4و 5) تهیه شد. الکتروانباشت متناوب تحت ولتاژ قله تا قله 30 ولت و فرکانس 200 هرتز به مدت 5 دقیقه انجام گرفت. از میکروسکوب الکترونی روبشی (sem) برای مشاهده نانوسیم ها استفاده شد. ابتدا، قالب را در محلول 1 مولار سود حل و نانو سیم ها را از آن جدا کردیم. از تکنیک پراش پرتو x (xrd) برای بررسی ساختار بلوری نانوسیم ها استفاده کردیم. اندازه گیری خواص مغناطیسی نانوسیم ها با دستگاه مغناطو متر نیروی گرادیان متناوب (agfm) انجام شد. برای بررسی ترکیب نانوسیم های آلیاژی [co70fe30]100-xsnx از edx استفاده شد. اندازه گیری خواص مغناطیسی نشان می دهد که خواص مغناطیسی نانوسیم های آلیاژی ساخته شده تحت تاثیر غلظت، ترکیب، ph محلول الکترولیت، فرکانس الکتروانباشت و فرآیند تابکاری می باشد. از طرف دیگر میدان وادارندگی و نسبت مربعی بودن نانوسیم های آلیاژی سه جزئی ساخته شده با نانوسیم های آلیاژی دو جزئی کبالت-آهن مقایسه و مشخص شد با افزایش میزان قلع در ساختار نانوسیم ها خواص تغییر زیادی کرده اند. مشاهدات نشان می دهد که خواص مغناطیسی نانوسیم های آلیاژی با تابکاری تا دمای 500 درجه سانتیگراد، تغییرات زیادی داشته است. عملیات تابکاری موجب آزاد شدن تنش های ساختاری و بهبود خواص مغناطیسی می شود. همچنین مشخص شد خواص مغناطیسی نانوسیم ها با تغییر ph، تغییر می کند. نتایج تجربی نشان می دهد که فرکانس 200 هرتز و ph=3، مناسب ترین شرایط برای الکتروانباشت این نانوسیم هاست.

امروزه نانو فناوری جایگاه ویژهای در دنیای علم و زندگی روزمره انسان ها پیدا کرده است. یکی از زیباترین شاخه های نانو فناوری، نانوسیم ها هستند که فیزیک حاکم بر دنیای آنها توجه های تعداد زیادی از محققین و دانشمندان را به خود جلب کرده است. در مقایسه با سایر روش ها الکتروانباشت با استفاده از یک تمپلیت نانو متخلخل هم از نظر ارزانی و هم از نظر سادگی برتری های محسوسی داد. هدف این پروژه در مرحله اول ساخت تمپلیتهای متخلخل برای الکتروانباشت نانوسیم های مغناطیسی درون حفره های آن ها می باشد. برای تهیه تمپلیتها از آندی کردن دو مرحله ای آلومینیوم در اسید سولفوریک استفاده شد که بررسی ساختار آن ها با استفاده از sem ساختار منظم و تنگ پکیده ای از حفره هایی با قطر 25 نانومتر را نشان می دهد. برای سنتز نانوسیم2ها چندلایه و منفرد درون حفره های اکسید آلومینیوم از هر دو روش الکتروانباشت ac و dc استفاده شد. نانوسیم های conicu، co/cu، coni/cu، coni، co و fe با موفقیت سنتز شدند؛ که تصویر های sem ساختار پیوسته آن ها را نشان می دهد و ازالگوی xrd برای بررسی ساختار نانوسیم هااستفاده شد برای بررسی خواص مغناطیسی نانوسیم های الکتروانباشت شده از agfm استفاده شد

دراین پژوهش ابتدا قالب های اکسید آلومینای آندی به روش آندایز دو مرحله ای ساخته می شوند. آندایز با سه اسید مختلف اکسالیک، سولفوریک و فسفریک در شرایط مختلف انجام می شود. با این روش قالب هایی با حفره های استوانه ای با قطرهای مختلف ساخته می شوند. سپس با استفاده از این قالب ها، آرایه ای از نانوسیم های کبالت-کروم با دو نمک کلرید و سولفات به روش الکتروانباشت جریان متناوب ساخته و اثرات اضافه کردن کروم در هر دو نمک بررسی می شوند.

در این پایان نامه ابتدا نانوسیلیکای کروی و توخالی با روش سل-ژل تهیه شد. نانوذرات تهیه شده با گروه عاملی تیول عامل دار شد. در مرحله بعد با اکسید کردن گروه های عاملی تیول به گروه های سولفونیک اسید، سیلیکا سولفونیک اسید کروی و توخالی تهیه گردید. سپس با به کار بردن سیلیکاسولفونیک اسید تهیه شده به عنوان قالب، سیلیکا/مگنتیت کروی و توخالی تهیه شد. نانوذرات fe3o4 طی یک واکنش هم رسوبی روی پوسته سیلیکای توخالی رسوب کردند. تمامی نانوذرات تهیه شده با الگوهای xrd، آنالیز های ft-ir، edx، bet و همچنین تصاویر sem و tem شناسایی شدند. در قسمت دوم پایان نامه از مگنتیت/ سیلیکا کروی و توخالی تهیه شده به عنوان حامل دارو جهت بررسی آزادسازی پروپرانولول هیدروکلراید، ایمی پرامین هیدروکلراید و کلرپرومازین هیدروکلراید استفاده گردید. بعد از بارگذاری دارو بر روی سطح و داخل کره های حامل، مطالعات آزادسازی آزمایشگاهی دارو در 9 و 7 = ph انجام شد و سینتیک رهایش دارو با استفاده از طیف سنجی uv-vis دنبال شد. نتایج نشان داد رهایش دارو های مورد بررسی، به ویژه پروپرانولول هیدروکلراید و ایمی پرامین، در 7 = ph به صورت آهسته با روندی تقریباً خطی رخ می دهد. از آنجایی که همه دارو های مورد بررسی دارای متابولیسم کبدی می باشند و محیط کبد خنثی است (7 = ph) این نتایج بسیار مطلوب است. بنابراین سیلیکا/مگنتیت کروی و توخالی می تواند به عنوان حامل مناسبی برای پروپرانولول هیدروکلراید، ایمی پرامین و کلرپرومازین استفاده شود و در کاربرد های دارورسانی به کار برده شود.

هدف این پایان نامه بررسی خصوصیات مغناطیسی نانوسیمهای آهن کروم ایجاد شده در نانوحفره های aao است. در این حفره ها نانوسیم های آلیاژی با نسبت های مختلف آهن و کروم انباشت شدند. ساختار بلوری نمونه ها توسط دستگاه طیف سنج پراش اشعه xrd و خصوصیات مغناطیسی نانوسیم ها توسط دستگاه مغناطوسنج نیروی گرادیان اتمی ( agfm ) تحلیل شدند. نتایج نشان می دهد که با افزایش غلظت کروم در محلول انباشت میدان وادرندگی از oe 1513 به oe 1186 کاهش می یابد. برای بررسی اثر تابکاری بر روی خواص مغناطیسی نانوسیم ها، نمونه ها در محدوده دمایی 300 تا 625 درجه سلسیوس تابکاری شدند. با افزایش دمای تابکاری میدان وادرندگی برای تمام نمونه ها افزایش یافت. این افزایش را می توان به کاهش مکانیکی و افزایش نظم در شبکه بلوری نسبت داد. میدان وادرندگی نانوسیم fe92.5cr7.5 در طی تابکاری از 1270 به 1560 اورستد و نسبت مربعی آن از 84% به 96% افزایش یافت. برای بررسی اثر بسامد انباشت بر خواص مغناطیسی نانوسیم ها, نانوسیم fe92.5cr7.5 در بازه بسامد 50 تا 600 هرتز ساخته شد. بیشترین مقدار میدان وادرندگی (1700 اورستد) برای نانوسیم انباشت شده با بسامد hz 600 بدست آمد.

دراین پژوهش ابتدا قالب های اکسید آلومینای آندی به روش آندایز دو مرحله ای ساخته می شوند. با این روش قالب هایی با حفره های استوانه ای با اسید اکسالیک ایجاد می شود. سپس با استفاده از این قالب ها، آرایه ای از نانوسیم های آهن-مس به روش الکتروانباشت متناوب ساخته و در ابتدا اثر اضافه کردن مس بررسی می شود. سپس نمونه ها ‏در دماهای مختلف تابکاری شده و پس از تابکاری نمونه ی 7/5 درصد مولی مس در الکترولیت به عنوان نمونه ی بهینه در نظر گرفته می شود. پس از آن اثر بسامد و ولتاژ نامتقارن الکتروانباشت بر خواص مغناطیسی نمونه ی بهینه بررسی می شود.میدان وادارندگی نمونه ی بهینه از ‎575‎ اورستد به ‎1344‎ اورستد و نسبت مربعی آن از 0/64 به 0/77 بعد از تابکاری بهبود پیدا می کند. با افزایش ولتاژ اکسایشی درصد مس در نانوسیم نمونه ی بهینه افزایش پیدا کرده است. همچنین بیشترین وادارندگی در نمونه ی بهینه ی انباشت شده با ولتاژ کاهشی ‎13‎ ولت و ولتاژ اکسایشی ‎19‎ ولت به دست آمده است.

نانوسیم های آلیاژی آهن- کبالت- کروم به روش آندایز دومرحله ای ‏درون قالب اکسید آلومینیوم متخلخل ساخته شد. آندایز آلومینیوم با سه اسید مختلف انجام ‏شد و سپس با روش الکتروانباشت شیمیایی حفره های تشکیل شده روی اکسید آلومینیوم آندی را پر کرده و نانوسیم هایی با اندازه های مختلف ‏ایجاد شدند. شرایط مختلف انباشت از جمله‏ بسامد‏، ولتاژ و تغییر اسید بر روی خواص ‎‎‏مغناطیسی مورد بررسی قرار ‏گرفت. ابتدا نانوسیم هایی با فرمول مولی ‎‎$(fe‎_{30}co‎_{70})‎_{100-x}cr‎_{x}‎‎‎‎‎‎‎‎‎$‎‏ ساخته و سپس تاب کاری شدند. بیشترین تغییرات میدان وادارندگی مربوط به‎ آلیاژ ‎$‎(fe‎_‎{3‎‎0}co‎_{70})‎_{96.5}cr‎_{3.5}‎‎‎‎$‎‏ بود که بعد از عمل تاب کاری حرارتی میدان وادارندگی آن از 1600 اورستد به 2317 اورستد رسید. با تغییر بسامد روی این درصد بهینه مشاهده شد که با افزایش بسامد میدان وادارندگی افزایش می یابد. بعد از تاب کاری نمونه ها‏، نمونه ساخته شده با بسامد 100 هرتز بیشترین تغییرات میدان وادارندگی را داشت به طوری که از 1469 اورستد به 2318 اورستد در دمای 575 درجه سا‎‎‏نتیگراد رسید. با اعمال ولتاژ نامتقارن در مرحله انباشت با پتانسیل ‏کاهشی 19 ولت و پتانسیل اکسایشی 13 تا 21 ولت معلوم شد که با افزایش پتانسیل اکسایشی میدان وادارندگی و نسبت مربعی افزایش دارند و بعد از تاب کاری نمونه ها بیشترین تغییر مربوط به نمونه با ولتاژ پیک اکسایشی 19 ولت بود به طوری که از 1440 به 2030 اورستد رسید. در مرحله آخر با تعویض اسید الکترولیت موفق به ساخت نانوسیم هایی با قطر متفاوت شدیم. با افزایش قطر میدان وادارندگی از 1885 اورستد به 1504 اورستد کاهش می یابد. بعد از تاب کاری نانوسیم های با قطر متفاوت بیشترین تغییرات مربوط به اسید سولفوریک در دمای 500 درجه سانتیگراد بود به طور ی که میدان وادارندگی از 1885 به 2747 اورستد رسید.‎‏

در این پژوهش ابتدا قالب های اکسید آلومینای آندی به روش آندایز دو مرحله ای با اسید اکسالیک ساخته می شوند. با این روش قالب هایی با حفره های استوانه ای با قطرهای حدود ‎30‎ تا ‎40‎ نانومتر ساخته می شوند. سپس با استفاده از این قالب ها، آرایه ای از نانوسیم های آهن-منگنز با روش الکتروانباشت جریان متناوب ساخته و مشاهده شد که غلظت، تابکاری و بسامد الکتروانباشت بر خواص مغناطیسی این نانوسیم ها تأثیر دارد. خواص مغناطیسی و ساختار شیمیایی و بلوری نمونه ها به وسیله ی دستگاه های میکروسکوپ الکترونی روبشی ‎$(sem)$‎، میکروسکوپ نیروی اتمی ‎$(afm)$‎، طیف سنجی پراش اشعه ایکس ‎$(xrd)$‎، طیف سنجی پراکندگی انرژی اشعه ایکس ‎$(edx)$‎ و مغناطوسنجی نیروی گرادیان متناوب ‎$(agfm)$‎ مطالعه می شوند. بعد از بررسی نتایج نمونه ‎$fe_{20}mn_{80}$‎ به عنوان نمونه بهینه که دارای بیشترین تغییرات میدان وادارندگی می باشد و برای این نمونه ساختار بلوری قبل و بعد از تابکاری تغییری نکرده و دارای ساختار بلوری ‎$bcc$‎ است. هم چنین مشاهده شده که میدان وادارندگی این نمونه از ‎773‎ اورستد به ‎1381‎ اورستد و نسبت مربعی از ‎0/62‎ به ‎0/92‎ بعد از تابکاری بهبود یافت. از الگوی پراش پرتو ‎x‎ نمونه مشاهده شد که بعد از تابکاری همه قله های موجود قبل از تابکاری وجود دارند، ولی نسبت شدت قله ‎(110)‎ مربوط به ساختار ‎bcc‎ آهن بعد از تابکاری کاهش یافته است. این نشان می دهد که بهبود خواص مغناطیسی به دلیل از بین رفتن تنش ها بوده است. نتیجه ی مطالعه ی اثر بسامد انباشت این نمونه نیز بهبود خواص مغناطیسی برای این نانوسیم ها را نشان می دهد.

در این پژوهش ابتدا قالب های اکسید آلومینای آندی به روش آندایز دو مرحله ای با اسید اکسالیک ساخته می شوند. با این روش قالب هایی با حفره های استوانه ای با قطرهای حدود ‎30‎ تا ‎40‎ نانومتر ساخته می شوند. سپس با استفاده از این قالب ها، آرایه ای از نانوسیم های آهن-منگنز با روش الکتروانباشت جریان متناوب ساخته و مشاهده شد که غلظت، تابکاری و بسامد الکتروانباشت بر خواص مغناطیسی این نانوسیم ها تأثیر دارد. خواص مغناطیسی و ساختار شیمیایی و بلوری نمونه ها به وسیله ی دستگاه های میکروسکوپ الکترونی روبشی ‎$(sem)$‎، میکروسکوپ نیروی اتمی ‎$(afm)$‎، طیف سنجی پراش اشعه ایکس ‎$(xrd)$‎، طیف سنجی پراکندگی انرژی اشعه ایکس ‎$(edx)$‎ و مغناطوسنجی نیروی گرادیان متناوب ‎$(agfm)$‎ مطالعه می شوند. بعد از بررسی نتایج نمونه ‎$fe_{20}mn_{80}$‎ به عنوان نمونه بهینه که دارای بیشترین تغییرات میدان وادارندگی می باشد و برای این نمونه ساختار بلوری قبل و بعد از تابکاری تغییری نکرده و دارای ساختار بلوری ‎$bcc$‎ است. هم چنین مشاهده شده که میدان وادارندگی این نمونه از ‎773‎ اورستد به ‎1381‎ اورستد و نسبت مربعی از ‎0/62‎ به ‎0/92‎ بعد از تابکاری بهبود یافت. از الگوی پراش پرتو ‎x‎ نمونه مشاهده شد که بعد از تابکاری همه قله های موجود قبل از تابکاری وجود دارند، ولی نسبت شدت قله ‎(110)‎ مربوط به ساختار ‎bcc‎ آهن بعد از تابکاری کاهش یافته است. این نشان می دهد که بهبود خواص مغناطیسی به دلیل از بین رفتن تنش ها بوده است. نتیجه ی مطالعه ی اثر بسامد انباشت این نمونه نیز بهبود خواص مغناطیسی برای این نانوسیم ها را نشان می دهد.

دراین پژوهش ابتدا قالب های اکسید آلومینای آندی به روش آندایز دو مرحله ای ساخته می شوند. با این روش قالب هایی با حفره های استوانه ای با اسید اکسالیک ایجاد می شود. سپس با استفاده از این قالب ها، آرایه ای از نانوسیم های کبالت-سرب و نیکل-سرب به روش الکتروانباشت متناوب ساخته و در ابتدا اثر اضافه کردن سرب به این نانوسیم های آلیاژی بررسی می شود. سپس نمونه ها ‏در دماهای مختلف تابکاری شده و پس از تابکاری‎‏‏، نمونه co97/5pb2/5 به عنوان نمونه ی بهینه نانوسیم ‏آلیاژی کبالت-سرب و نمونه ni99/75pb./25 به عنوان نمونه بهینه نانوسیم آلیاژی نیکل-سرب در نظر گرفته می شوند. پس از آن اثر بسامد الکتروانباشت بر خواص مغناطیسی نمونه‏ های بهینه بررسی می شود. خواص مغناطیسی و ساختار شیمیایی و بلوری نمونه ها به وسیله ی دستگاه های میکروسکوپ الکترونی روبشی‎(sem)‎، طیف سنجی پراکندگی انرژی اشعه ایکس(edx)، مغناطوسنجی نیروی گرادیان متناوب اتمی (agfm) و طیف سنجی پراش اشعه ایکس(xrd)، اندازه گیری می شوند. بعد از تابکاری میدان وادارندگی نمونه ی بهینه کبالت-سرب از ‎1290 اورستد به 1773 اورستد و نسبت مربعی آن از 80/. به 86/. بعد از تابکاری افزایش می یابد و میدان وادارندگی نمونه ی بهینه ‎‏نیکل-سرب از446‎‎ اورستد به 146 اورستد کاهش و نسبت مربعی آن از 65/. به 21/. بعد از تابکاری افزایش می یابد.

نانو سیم نانو ساختاری با قطری در مقیاس نانومتر است. برای ‏ساخت نانوسیم ها از چند روش می توان استفاده کرد که برای مثال روش قالب، روش بخار- مایع- جامد ‎(vls)‎ و لیزر را می توان نام برد. در این پایان نامه ‏با استفاده از قالب اکسید آلومینیوم متخلخل آندی نانوسیم های co99-sn1)100-xpx) با روش الکتروانباشت شیمیایی به صورت جریان متناوب ساخته شدند‎ که در آن مقدار ‎ ‎x‎ ‎‎ از صفر تا ‎10‎ تغییر می کند. ‎‏اثر اضافه کردن فسفر به نانوسیم کبالت - قلع و همچنین تا?ثیر دما، ولتاژ نامتقارن و بسامد بر روی خواص مغناطیسی نانوسیم ها بررسی گردید. خواص مغناطیسی‏، ساختار شیمیایی و بلوری نمونه ها با استفاده از دستگاه مغناطوسنجی نیروی گرادیان متناوب، میکروسکوپ الکترونی روبشی، طیف سنجی پراکندگی انرژی اشعه ایکس و طیف سنجی پراش اشعه ایکس اندازه گیری شدند. با اضافه کردن فسفر مشخص گردید که میدان وادارندگی از 1260 اورستد تا 570 اورستد کاهش می یابد. برای بررسی اثر تابکاری حرارتی‏ بر روی خواص مغناطیسی نانوسیم ها‏، نمونه ها در گستره ی دمایی بین 300 تا 550 درجه سانتی گراد تابکاری شدند که برای نانوسیم co99-sn199/9)p0/1) میدان وادارندگی ‏از 803 به 1200 اورستد افزایش یافت. ‎همچنین‎ بعد از بررسی اثر ولتاژ نامتقارن و بسامد بر روی خواص مغناطیسی این نانوسیم مشخص شد که میدان وادارندگی به ازای افزایش ولتاژ اکسایشی و افزایش بسامد افزایش می یابد.

هدف از این مطالعه ساخت و بررسی اثر اسپیلنت مچ دست_ ساعدی بر روی متغیرهای درد، عملکرد و قدرت گریپ در بیماران مبتلا به تنیس البو می باشد. پس از طراحی و ساخت اسپیلنت مورد نظر و بررسی ان به منظور کنترل و محدود کردن مناسب حرکات چرخشی ساعد و نیز حرکت مچ دست بر روی افراد سالم، آن را به مدت چهار هفته برروی افراد بیمار مورد آزمون قراد دادیم. نتایج به دست آمده بیانگر بهبودی هر سه متغیر نامبرده در بیاران پس از گذشت چهار هفته بود.

فناوری نانو واژه ای است کلی که به تمام فناوری های پیشرفته در عرصه کار با مقیاس نانو گفته می شود. معمولاً منظور از مقیاس نانو، ابعادی در حدود یک تا صد نانومتر است.نانوسیم ها بسته به اینکه از چه ماده ای ساخته شده باشند انواع مختلفی مانند نانوسیم های فلزی، آلی، نیم رسانا، سیلیکونی و مغناطیسی دارند. ساخت نانوسیم ها به وسیله قالب اکسید آلومینیوم آندی حفره دار aao یکی از ارزان ترین و ساده ترین روش های موجود است که در این تحقیق از این روش استفاده شده است. در این روش، قالب آلومینیوم آندی را پس از انجام مراحل پیش آماده سازی شامل چربی زدایی، تابکاری، الکتروپولیش، آندایز دو مرحله ای و سونش، به روش الکتروانباشت متناوب، انباشت می کنیم.

تئوری علی مکانیک کوانتومی (تئوری دوبروی-بوهم) برای اولین بار در سال 1952 توسط بوهم [9 و 8] به طور منسجم ارائه شد. می دانیم که مکانیک کوانتوم استاندارد کوپنهاگی بنابر اصل اندازه گیری و تقلیل تابع موج هم غیرعلی و هم غیرموجبیتی است ، اما تئوری بوهم به طور علی مسیر هر ذره را مشخص می کند. در تئوری بوهم برای هر ذره تحت هر پتانسیلی می توان معادله مسیر را پیدا کرد. در این تئوری یک پتانسیل اضافی به نام پتانسیل کوانتومی علاوه بر پتانسیل کلاسیکی وجود دارد. این پتانسیل فرم غیرجایگریده ای دارد و به چگالی آنسامبلی ذرات سیستم بستگی دارد. مکانیک کوانتوم استاندارد اصلا در مورد ذرات منفرد حرفی نمی تواند بزند، ولی بنا بر تئوری بوهم با داشتن مکان اولیه هر ذره می توان مکان آن در هر لحظه بعد را به دست آورد. از طرفی با استفاده از این تئوری می توان پدیده هایی مانند تونل زنی را به طور کامل بررسی کرد و حتی مسیر ذرات در داخل سد را نیز پیدا کرد. به طور کلی دیدگاه بوهم در مورد تمام اتفاقاتی که در مکانیک کوانتومی کوپنهاگی با تابع موج و به صورت احتمالی بررسی می شود، حرف می زند و دلایل علی و منطقی تری را بیان می کند. این تئوری در عین حال که حوزه مکانیک کوانتومی را در بردارد، برای تک تک ذرات نیز مسیر را مشخص می کند. توضیحات بیشتر و کاملتری در مورد این تئوری در فصل اول آمده است . در فصل دوم توضیح کاملی در مورد گاز الکترونی یک بعدی بیان شده است و در دنیای امروز که پیشرفت در تکنولوژی تهیه و ساخت نیمه هادیها و ترانزیستورها و ابر رسانا در حال پیشرفت روزافزون است . بررسی ساختار دقیق آنها نیز مهم می شود. از آنجا که بسیاری از پدیده ها در جامدات با ابعاد کم با دشت و وضوح بیشتری مشاهده می شوند، در این رساله سعی می کنیم که با بررسی گاز الکترون یک بعدی توسط تئوری بوهم مسیر واقعی الکترونها را در این سیستم بررسی کنیم. در اینجا ما تنها بر هم کنش کولین الکترون-الکترون را در بین ذرات در نظر گرفته ایم. این پروژه در واقع می تواند قمستی از یک پروژه بزرگتر باشد که در آن عوامل دیگری همچون پتانسیل یونهای زمینه، اسپین و دما را وارد مسئله کرد و هر چه بیشتر به مسیر واقعی الکترونها در سیستم نزدیک شد. با داشتن رفتار الکترونها در سیستم می توان تصویر روشنی از مسئله پیدا کرد. در فصل سوم به تفصیل این مسیر الکترونها را پیدا کرده ایم و در فصل چهارم در یک بخش چند پارامتر سیستم با استفاده از مسیر الکترونها را محاسبه و رسم کرده ایم و در قسمت دیگر مسیر الکترونها را در مسئله تونل زنی بررسی کرده ایم. این کار با دو روش انجام شده است . در روش اول برنامه از ابتدا با s0(x), p0(x) شروع می کند و مقادیر آنها را در زمانهای بعد به دست می آورد و با استفاده از آن مسیر الکترونها را رسم می کند و روش دوم شبیه سازی مجدد روشی که آقای شریف زاده امین با استفاده از مقاله گلدبرگ انجام داده اند، است .