در سال های اخیر ایجاد و بکارگیری لایه نازک تیتانات زیر کونات سرب برروی زیرلایه های مختلف به خاطر پتانسیل بالای کاربرد آن در سیستم های میکروالکترومکانیکی(mems) موضوع بسیار قابل توجهی بوده است. در این پژوهش لایه های کامپوزیتی سرامیک/سرامیک 0-3 تیتانات زیرکونات سرب pb(zr0.52ti0.48)o3 با استفاده از روش سل ژل هیبریدی بر روی زیر لایه های مختلف ایجاد شد. اثر اندازه پودرهای اضافه شده و نسبت های وزنی مختلف پودر به سل بر میکروساختار و خواص الکتریکی مورد ارزیابی قرار گرفت. بررسی فازی و همچنین جهات کریستالی رشد لایه ها به کمک آزمون پراش اشعه x انجام گرفت.در این راستا اثر میدان الکتریکی بر جهات رشد ترجیحی مثبت ارزیابی شد. به کمک تکنیک پرس مکانیکی بر روی لایه ها بعد از مرحله پایرولیز و قبل از کریستالیزاسیون میزان تخلخل در لایه ها کاهش داده شد .پودر هایpzt می توانند سبب تشکیل یک شبکه به هم پیوسته قوی در فیلم ،کاهش انقباض و در نتیجه حصول لایه های بدون ترک شوند.تصاویر sem تشکیل لایه های یکنواخت، بدون ترک و کامپوزیتی pzt را نشان می دهد. مقدار پلاریزاسیون باقیماندهµc/cm2 26 و ثابت دی الکتریک 868 به دست آمد که در مقایسه با سرامیک های بالک pzt قابل توجه می باشد. این بهبود خواص را می توان به حضور ذرات زیرمیکرونی و نانوکریستال pzt در شبکه سل ژل نسبت داد.