در این رساله، با استفاده از تقریب بستگی قوی تک نواری و رهیافت تابع گرین، اثر ناهمواری بر مقاومت مغناطیسی تونل زنی (tmr) در پیوندگاه های fe/mgo/fe محاسبه شد. پدیده ی tmr در اثر تونل زنی اسپین الکترون در پیوندگاه های مغناطیسی تونل زنی مشاهده می شود. این پیوندگاه ها از لایه های فرومغناطیسی که توسط لایه ی نازک عایق از هم جدا شده اند، تشکیل شده است. به دلیل مشاهده ی مقادیر زیاد tmr برای سد بلوری mgo در دمای اتاق، این پدیده در حافظه های با دسترسی تصادفی مغناطیسی (mram) ، حسگرها، هد خواندن داده ها در حافظه های جانبی کامپیوتر و ضبط مغناطیسی کاربرد دارد. در پیوندگاه های حقیقی، فصل مشترک صاف نیست بلکه اتم های fe و mgo درهم تنیده هستند. این موضوع را به دو روش بررسی می کنیم. در روش اول به دلیل افت و خیزهای موجود در فصل مشترک، میدان های الکتریکی کاتوره ای در جایگاه های فصل مشترک فرض می شود. در روش دوم، بی نظمی در فصل مشترک با جایگذاری اتم های fe با mgo با احتمال 5/0n> منظور می شود. tmr و چگالی های جریان برای پیکربندی های موازی و پادموازی و برای هر دو نوع اسپین اکثریت و اقلیت محاسبه شد. در هر دو روش نتایج نشان می دهد که ناهمواری سبب کاهش tmr و نیز چگالی جریان در پیکربندی موازی می شود، در حالی که چگالی جریان در پیکربندی پادموازی افزایش می یابد.