بیشینه ی تغییر امپدانس الکتریکی یک ماده ی فرومغناطیسی نرم با تغییر میدان مغناطیسی اعمالی بر آن را امپدانس مغناطیسی بزرگ 1 gmiمی گویند . روی این اثر به لحاظ تئوری و تجربی کارهای زیادی انجام شده است . از جمله موادی که روی آنها اثر gmi انجام شده است ، نوارها و سیم های آلیاژی ، چند لایه ای ها ، فیلم ها ، میکرو سیم ها ، میکرو تیوب ها ، ترکیب هایی به صورت آمورف و نانوبلوری انجام شد که هر کدام از آنها کاربرد هایی از قبیل حسگری تنش و میدان می توانند داشته باشند. عوامل موثر بر روی gmi ، اثر پوسته ، شکل نمونه ، ترکیب آلیاژی ، اثر سطح ، بازپخت مغناطیسی و تنش و هر عامل دیگری که بر روی ناهمسانگردی مغناطیسی و ترکیب ساختاری نمونه می تواند اثر داشته باشد هستند. اگر در دو جهت متفاوت برای میدان مغناطیسی اعمالی در جهت طولی نمونه اندازه گیری امپدانس انجام شود و منحنی gmi مربوط به هریک از جهت های اندازه گیری نسبت به هم نامتقارن باشند نامتقارنی امپدانس مغناطیسی بزرگ2 agmi در نمونه وجود دارد. نامتقارنی امپدانس مغناطیسی بزرگ نیز یکی از اثرهایی است که اخیرا دیده شده است که به سه نوع تقسیم می شود: 1-نامتقارنی بایاس جریان ، 2- نامتقارنی بایاس میدانی ، 3- نامتقارنی بایاس تبادلی . هر کدام از این نامتقارنی ها می تواند کاربرد هایی داشته باشد ، به عنوان مثال نامتقارنی بایاس جریان به عنوان حسگر جریان الکتریکی و نامتقارنی بایاس تبادلی به عنوان حسگر میدان مغناطیسی با دقت بالا می تواند کاربرد داشته باشد. اثر gmi در ابتدا در سال 1935 توسط هریسون3 گزارش شد و در سال 1994به طور گسترده تحقیق شد. از دیدگاه تئوری ، تحقیق بر روی gmi با گسترش مدل هایی برای درک کامل نمودارهای تجربی، از قبیل ظهور ساختارهای دوقله ای، وابستگی امپدانس به فرکانس و میدان مغناطیسی و عوامل دیگر شروع شد. gmi نخستین بار در نوارهای آمورف مغناطیسی نرم و سیم ها مشاهده شد. پس از آن این اثر در سیستم های مختلفی از قبیل مواد تجاری با اشکال مختلف ، فیلم های نازک ، ساختارهای ساندویچی، تیوبها، بلورهای منفرد، میکروسیم های آمورف، مواد نانو بلوری و ... مشاهده شد. مفاهیم عمیقی در gmi نهفته است که این مفاهیم ، پیش بینی برخی رفتارهای مغناطیسی مواد مغناطیسی را برای محققان، ممکن می سازد و این اجازه را می دهد که در ساختارهای مواد مغناطیسی با در نظر داشتن این رفتار در مواد، بتوان ماده مورد نظر را برای شرایط دلخواه، راحت تر تولید کرد. بطور کلی امپدانس بسیار زیاد شاخه جدیدی از خواص ترابرد مواد مغناطیسی باز کرده است