لایه ی میانی بین گیت دی الکتریک اکسیدی و سیلیکون بسیار مهم است زیرا عملکرد ترانزیستورها و قابلیت اعتبار افزاره ها به وسیله ی گیت و گیت دی الکتریک اکسیدی ترانزیستور تعیین و کنترل می شود. علاوه بر این وقتی که اکسید برای سازگاری با سرعت های بالاتر در مدارهای مجتمع نازک و نازک تر می شود نقش لایه ی میانی مهم تر می شود. در این پایان نامه سعی کردیم ساختار فصل مشترک si(111)/sio2 را به وسیله ی تکنیک xps در زوایای نزدیک به عمود سطح مختلف بررسی کنیم و با استفاده از روش خود- انرژی به تحلیل ساختاری فیلم بپردازیم. نتایج به دست آمده نشان می دهد که اندازه گیری های فتوگسیلی بر روی اکسید فرا نازک برای حفظ مشخصه ی اکسیدی باید در زوایای نزدیک به عمود سطح از 9- 1 در جه انجام شود. علاوه بر این جریان نشتی نقش مهمی در عملکرد ترانزیستور دارد. با کوچک تر شدن ترانزیستورها ضخامت گیت دی الکتریک نیز کم تر می شود که این عامل سبب افزایش جریان نشتی می شود. با قرار دادن نانولوله ی کربنی به عنوان کانال ترانزیستورهای اثر میدانی، جریان نشتی به طور قابل ملاحظه ای کاهش می یابد. علاوه بر آن، می توان جریان نشتی را به طور چشم گیری با تغییر قطر نانولوله، طول نانولوله و استفاده از همپوشانی نامتقارن گیت با گیت نزدیک تر به چشمه کاهش داد.