جلیل پوراسد
دانشجوی دکتری، مجتمع دانشگاهی مواد و فناوری‌های ساخت، دانشگاه صنعتی مالک اشتر، تهران
[ 1 ] - نقش پایه گرافیتی بر تشکیل ساختار گرادیان ترکیبی C/SiC طی فرایند سمانتاسیون توده‌ای
گرافیت به طور گسترده در ساختارهای دمای بالا مورد استفاده قرار گرفته‌است با این حال، گرافیت از دمای حدود 400 درجه سانتیگراد، به آسانی با اکسیژن واکنش می‌دهد. کاربید سیلیسیم (SiC) با تغییر تدریجی ترکیب در مقیاس میکروسکوپی به عنوان بهترین ماده برای جلوگیری از اکسیداسیون گرافیت شناخته شده است. در این پروژه پوشش SiC بر پنج نوع گرافیت مختلف به روش سمانتاسیون توده‌ای اعمال گردید و رابطه بین ریزساختار ...
[ 2 ] - بررسی مسیر واکنشی تشکیل پوشش تدریجی SiC بر گرافیت با روش سمانتاسیون بسته‌ای و تأثیر نوع مواد اولیه
با توجه به آن‌که مواد کربنی از جمله گرافیت به طور گسترده در ساختارهای دمای بالا مورد استفاده قرار گرفته‌اند؛ اما مشکل اصلی آن‌ها، شروع اکسیداسیون از دمای حدود °C400 در محیط اکسیدی می‌باشد، بهترین روش برای تقویت مقاومت به اکسیداسیون گرافیت، استفاده از کاربید سیلیسیم با ساختار تدریجی است که به دلیل پایداری حرارتی مناسب و تطابق فیزیکی، شیمیایی و ضریب انبساط حرارتی مناسب با زیرلایه کربنی کاربرد گست...
[ 3 ] - استانداردهای تضمین کیفیت مواد گرافیتی برای کاربرد در صنایع هوافضا
گرافیت، آلوتروپی از کربن بوده که دارای نظم کریستالوگرافی سه‌بعدی دامنه‌ی بلند است. با توجه به ساختار ویژه و برخورداری از خواص فیزیکی، مکانیکی و حرارتی فوق‌العاده‌ی گرافیت از جمله دانسیته‌ی کم، ضریب انبساط حرارتی پایین و هدایت حرارتی بالا، مقاومت به شوک حرارتی مناسب، مقاومت به سایش حرارتی- مکانیکی زیاد، قابلیت ماشین‌کاری مناسب و حفظ خواص فیزیکی و مکانیکی در گستره‌ی بالایی از دما، که در صنایع هو...
Co-Authors