MohammadAli Bahrevar

Semiconductor, MERC

[ 2 ] - بهبود رفتار ترشوندگی سل حاوی تنگستن برای تهیه لایه‌های نازک اکسید تنگستن

در این کار لایه�های اکسید تنگستن بر روی الکترود شفاف اکسیدی و همچنین شیشه نوری با استفاده از روش فروبری در سُل?های پایه آبی و الکلی آماده و سپس در 400 درجه عملیات حرارتی گردیدند. ترشوندگی لایه?های مورد استفاده توسط سُل?های آماده شده نیز با مشاهدات چشمی و تصویربرداری بررسی شد. لایه�های آماده شده با میکروسکوپ الکترونی روبشی، پراش اشعه X و همچنین ولتامتری چرخه�ای در محلول اسیدسولفوریک مورد مطالعه قر...