مهدی دولتشاهی

[ 1 ] - طراحی یک مدار نمونه‌بردار و نگه‌دار با دقت 12-Bit جهت نرخ داده 200MS/s

در این مقاله، یک مدار نمونه بردار و نگه دار تمام تفاضلی با دقت 12 بیت برای نرخ داده 200 Ms/sارائه گردیده است. در مدار پیشنهادی این مقاله به منظور افزایش خاصیت خطی و همچنین افزایش میزان ولتاژ عملکرد، ازسوئیچ های بوت استرپ جهت نمونه برداری از سیگنال ورودی استفاده گردیده است. همچنین به منظور جلوگیری از اثر بارگذاری طبقات بعدی بر روی مدار پیشنهادی از یک بافر خروجی با بهره قابل تنظیم جهت افزایش خاص...

[ 2 ] - طراحی یک فیلتر چند حالته Gm-C با توان مصرفی پایین در ناحیه زیر آستانه

در این مقاله یک فیلتر Gm-C چند حالته (universal) مرتبه‌ی دو با قابلیت دریافت تمامی پاسخ‌های فیلتری (پایین گذر، بالاگذر، میان گذر، میان نگذر و تمام گذر)، تنظیم الکترونیکی فرکانس مرکزی ω0)) و ضریب کیفیت Q)) و عملکرد در چهار مد (ولتاژ، جریان، ترارسانایی و ترامقاومتی) مبتنی‌بر اینورتر (بلوک ترارسانایی) با بایاس شدن ترانزیستورها در ناحیه زیرآستانه (Sub Threshold) ارا...

[ 3 ] - یک تقویت کننده‌ی امپدانس انتقالیCMOS کم مصرف برای کاربردهای مخابرات نوری2.5Gb/s

در این مقاله یک تقویت کننده‌ی امپدانس انتقالی جهت گیرنده‌های نوری ارائه می‌شود. این تقویت کننده بر اساس توپولوژی فیدبک مقاومتی- خازنی به صورت موازی می‌باشد که از نظر توان مصرفی بهینه شده است و از تکنیک shunt peaking (بالازدگی موازی) نیز برای افزایش پهنای باند فرکانسی استفاده شده است. این مدار در تکنولوژی 0.18 µm CMOS طراحی و شبیه سازی شده است. نتایج شبیه سازی بهره‌ی 67.5 dBΩ، پهنای باند 3GHz و ...

[ 4 ] - طراحی و شبیه‌سازی یک مدار نمونه‌بردار و نگه‌دار جدید با دقت 12 بیت و نرخ نمونه‌برداری یک GS/s با استفاده از تکنیک نمونه‌برداری دوگانه

در این مقاله، یک مدار جدید نمونه‌بردار و نگه‌دار Sample and Hold (S&H) با دقت 12-bit و نرخ نمونه‌برداری 1 GS/s با استفاده از تکنیک نمونه‌برداری دوگانه پیشنهاد شده است. تکنیک نمونه‌برداری دوگانه این امکان را فراهم آورده است که مدار همیشه در فاز نگه‌داری عمل نماید که خود منجر به افزایش سرعت کل سیستم در مبدل‌های داده می‌شود. به‌منظور کاهش خطاهای ناشی از غیرخطی بودن سوئیچ‌های ورودی، از سوئیچ‌های ان...

[ 5 ] - بهینه‌سازی حساسیت خط مرجع ولتاژ کم‌توان با استفاده از ساختار نوین دوطبقه در زیرآستانه

در این مقاله روشی نوین به منظور ارتقاء حساسیت خط ولتاژ مرجع خروجی در مراجع ولتاژ کم‌توان با ولتاژ تغذیه‌ی پایین ارائه شده است. در توپولوژی جدید پیشنهادی یک مرجع ولتاژ شکاف انرژی در طبقه‌ی اول قرارگرفته و با تغذیه‌ی یک مرجع ولتاژ حرارتی در طبقه‌ی دوم از ولتاژ خروجی طبقه‌ی اول سبب می‌گردد، حساسیت خط به‌طور چشمگیری بهبود یابد. ساختار ارائه شده نسبت به مدارهای مشابه از حساسیت خط بهتر و در حدود 0.07...

[ 6 ] - طراحی و شبیه‌سازی یک مدار نمونه‌بردار و نگه‌دار جدید با دقت 12 بیت و نرخ نمونه‌برداری یک GS/s با استفاده از تکنیک نمونه‌برداری دوگانه

در این مقاله، یک مدار جدید نمونه‌بردار و نگه‌دار Sample and Hold (S&H) با دقت 12-bit و نرخ نمونه‌برداری 1 GS/s با استفاده از تکنیک نمونه‌برداری دوگانه پیشنهاد شده است. تکنیک نمونه‌برداری دوگانه این امکان را فراهم آورده است که مدار همیشه در فاز نگه‌داری عمل نماید که خود منجر به افزایش سرعت کل سیستم در مبدل‌های داده می‌شود. به‌منظور کاهش خطاهای ناشی از غیرخطی بودن سوئیچ‌های ورودی، از سوئیچ‌های ان...

[ 7 ] - طراحی یک مدار نمونه‌بردار و نگه‌دار با دقت 12-Bit جهت نرخ داده 200MS/s

در این مقاله، یک مدار نمونه بردار و نگه دار تمام تفاضلی با دقت 12 بیت برای نرخ داده 200 Ms/sارائه گردیده است. در مدار پیشنهادی این مقاله به منظور افزایش خاصیت خطی و همچنین افزایش میزان ولتاژ عملکرد، ازسوئیچ های بوت استرپ جهت نمونه برداری از سیگنال ورودی استفاده گردیده است. همچنین به منظور جلوگیری از اثر بارگذاری طبقات بعدی بر روی مدار پیشنهادی از یک بافر خروجی با بهره قابل تنظیم جهت افزایش خاص...

[ 8 ] - طراحی یک فیلتر چند حالته Gm-C با توان مصرفی پایین در ناحیه زیر آستانه

در این مقاله یک فیلتر Gm-C چند حالته (universal) مرتبه‌ی دو با قابلیت دریافت تمامی پاسخ‌های فیلتری (پایین گذر، بالاگذر، میان گذر، میان نگذر و تمام گذر)، تنظیم الکترونیکی فرکانس مرکزی ω0)) و ضریب کیفیت Q)) و عملکرد در چهار مد (ولتاژ، جریان، ترارسانایی و ترامقاومتی) مبتنی‌بر اینورتر (بلوک ترارسانایی) با بایاس شدن ترانزیستورها در ناحیه زیرآستانه (Sub Threshold) ارا...

[ 9 ] - یک تقویت کننده‌ی امپدانس انتقالیCMOS کم مصرف برای کاربردهای مخابرات نوری2.5Gb/s

در این مقاله یک تقویت کننده‌ی امپدانس انتقالی جهت گیرنده‌های نوری ارائه می‌شود. این تقویت کننده بر اساس توپولوژی فیدبک مقاومتی- خازنی به صورت موازی می‌باشد که از نظر توان مصرفی بهینه شده است و از تکنیک shunt peaking (بالازدگی موازی) نیز برای افزایش پهنای باند فرکانسی استفاده شده است. این مدار در تکنولوژی 0.18 µm CMOS طراحی و شبیه سازی شده است. نتایج شبیه سازی بهره‌ی 67.5 dBΩ، پهنای باند 3GHz و ...