عصمت اسمعیلی
دانشگاه شهرکرد
[ 1 ] - رسانش الکترونی یک نانوسیم شامل اتم های مرتعش سطحی
در این مقاله با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت تنگ بست و رژیم پاسخ خطی، به مطالعه ی رسانش الکتریکی یک نانوسیم شامل اتم های سطحی مرتعش که بین دو هادی صلب ساده قرار گرفته است، پرداخته ایم. با بهره گیری از فضای فوک، اثر برهمکنش الکترون ـ فونون را در ضریب عبور الکترونی مورد بررسی قرار داده ایم. نتایج نشان می دهد که مکان قله های تشدیدی رسانش با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون به سمت انرژی ها...
[ 2 ] - مطالعه تحلیلی ترابرد الکترونی یک چندپار پلی پارافنیلن در تقریب همسایه دوم
در این مقاله به مطالعه تحلیلی رسانش الکترونی یک چندپار پلی پارافنیلن که بین دو هادی ساده قرار گرفته در رهیافت تنگابست و با در نظر گرفتن پرش الکترون بین همسایه های اول و دوم پرداخته شده است. ابتدا هامیلتونی چندپار پلی پارافنیلن را به هامیلتونی زنجیره پلی استیلن مانند تبدیل کرده و سپس روابط تحلیلی را به کمک روش تابع گرین برای محاسبه ی ضریب عبور الکترونی به دست می آوریم. در نتایج عددی سامانه با در...
Co-Authors