A. Daghighi
Shahrekord University
[ 1 ] - Output-Conductance Transition-Free Method for Improving Radio-Frequency Linearity of SOI MOSFET Circuits
In this article, a novel concept is introduced to improve the radio frequency (RF) linearity of partially-depleted (PD) silicon-on-insulator (SOI) MOSFET circuits. The transition due to the non-zero body resistance (RBody) in output conductance of PD SOI devices leads to linearity degradation. A relation for RBody is defined to eliminate the transition and a method to obtain transition-free c...
[ 2 ] - کنترل سرعت موتور القایی تغذیه شده با مبدل ماتریسی با ولتاژ ورودی نامتعادل
مبدل ماتریسی یک مبدل تبدیل انرژی مستقیم با ضریب توان ورودی بالا است. به دلیل این که در مبدل ماتریسی المان ذخیره کننده انرژی وجود ندارد، مشخصه‌های خروجی با اغتشاش در ولتاژ ورودی دچار تنزل می‌گردند. مطالعات زیادی به منظور رفع این مشکل انجام شده است. در این مقاله عملکرد مبدل ماتریسی کنترل شده با روش Venturini در شرایط ولتاژ ورودی نامتعادل مورد بررسی قرار می‌گیرد. ولتاژ خروجی مبدل تخمین زده شده و ...
[ 3 ] - کنترل سرعت موتور القایی تغذیه شده با مبدل ماتریسی با ولتاژ ورودی نامتعادل
مبدل ماتریسی یک مبدل تبدیل انرژی مستقیم با ضریب توان ورودی بالا است. به دلیل این که در مبدل ماتریسی المان ذخیره کننده انرژی وجود ندارد، مشخصه‌های خروجی با اغتشاش در ولتاژ ورودی دچار تنزل می‌گردند. مطالعات زیادی به منظور رفع این مشکل انجام شده است. در این مقاله عملکرد مبدل ماتریسی کنترل شده با روش Venturini در شرایط ولتاژ ورودی نامتعادل مورد بررسی قرار می‌گیرد. ولتاژ خروجی مبدل تخمین زده شده و ...
[ 4 ] - Analytical Threshold Voltage Computations for 22 nm Silicon-on-Diamond MOSFET Incorporating a Second Oxide Layer
In this paper, for the first time, an analytical equation for threshold voltage computations in silicon-on-diamond MOSFET with an additional insulation layer is presented; In this structure, the first insulating layer is diamond which covered the silicon substrate and second insulating layer is SiO2 which is on the diamond and it is limited to the source and drain on both sides. Analytical solu...
[ 5 ] - Investigation and simulation of the effect of Substrate Doping on the Switching Delay of 22nm Double-Insulating UTBB SOI MOSFET
In this paper, for the first time, the effect of the substrate doping of 22nm double-insulating UTBB silicon-on-insulator device on the switching performance and turn-on delay of the transistor is investigated. In UTBB devices, the substrate voltage is varied from positive to zero then negative voltages to trade-off transistor speed against the leakage current. Various circuit design procedures...
Co-Authors