همبستگی تخلخل با زبری توسط طیف پراکندگی سطوح نانویی سیلیکان متخلخل

Authors

  • ابراهیم نسب, ستاره گروه فیزیک، دانشگاه الزهرا (س)، تهران
Abstract:

Reflection spectra of four porous silicon samples under etching times of 2, 6, 10, and 14 min with current density of 10 mA/cm2 were measured. Reflection spectra behaviors for all samples were the same, but their intensities were different and decreased by increasing the etching time. The similar behavior of reflection spectra could be attributed to the electrolyte solution concentration which was the same during fabrication and reduction of reflection spectrum due to the reduction of particle size. Also, the region for the lowest intensity at reflection spectra was related to porous silicon energy gap which shows blue shift for porous silicon energy gap. Roughness study of porous silicon samples was done by scattering spectra measurements, Rayleigh criteria, and Davis-Bennet equation. Scattering spectra of the samples were measured at 10, 15, and 20 degrees by using spectrophotometer. Reflected light intensity reduced by increasing the scattering angle except for the normal scattering which agreed with Rayleigh criteria. Also, our results showed that by increasing the etching time, porosity (sizes and numbers of pores) increases and therefore light absorption increases and scattering from surface reduces. But since scattering varies with the observation scale (wavelength), the relationship between scattering and porosity differs by varying the observation scale (wavelength)

Upgrade to premium to download articles

Sign up to access the full text

Already have an account?login

similar resources

بررسی خواص پراکندگی سیلیکان متخلخل

  Porous silicon (PS) layers come into existance as a result of electrochemical anodization on silicon. Although a great deal of research has been done on the formation and optical properties of this material, the exact mechanism involved is not well-understood yet.   In this article, first, the optical properties of silicon and porous silicon are described. Then, previous research and the prop...

full text

بررسی خواص پراکندگی سیلیکان متخلخل

سیلیکان متخلخل (ps) بر اثر آندیزاسیون الکتروشیمیایی روی ویفر سیلیکان به وجود می آید. تاکنون تحقیقات فراوانی درباره چگونگی تشکیل این ماده و خواص نوری آن به ویژه فوتولومینسانس (pl) انجام شده, اما هنوز سازوکار دقیق آنها شناخته نشده است. در این مقاله ابتدا نظریه پراکندگی نور از سطوح ناهموار تصادفی و سپس انعکاس و پراکندگی, جذب و عبور نور از ps بررسی می شود و سرانجام کارهای عملی انجام شده بر روی نمون...

full text

پراکندگی موج از سطوح فراکتالی با زبری نانومتری

در این مقاله اثر سه طول مشخصه طول موج پرتو تابیده شده به سطح (l)، زبری (s) و طول همبستگی سطح (x) برای سطوح با زبری نانومتری با استفاده از شدت موج پراکنده شده به کمک تئوری پراکندگی موج کیرشهف مطالعه شده است. در این مطالعه مشخص شد که مقیاس طول همبستگی نقش مهمی در نوع پراکندگی از سطوح زبر با زبری نانومتری بازی می‌کند. تاکنون در اغلب گزارش‌ها برای پراکندگی موج از سطوح زبر از پارامتر بدون بعد ks است...

full text

بررسی نانوساختار های سیلیکان متخلخل بوسیله ی پراکندگی رامان

در این پژوهش تلاش شده است درباره ی تمامی اطلاعاتی که می توان از طیف رامان درباره ی سیلیکان متخلخل فهمیده شود، بحث شود. نمونه های سیلیکان متخلخل تحت چگالی جریان 20 میلی آمپر بر سانتیمتر مربع و مدت زمان های خوردگی 10، 20، 30، 40 و 50 دقیقه ساخته شدند. الکترولیت مورد استفاده محلول (hf: اتانول) = (1:1) بود. طیف رامان این نمونه ها نمایانگر مشخصات زیر در نمونه هاست: 1- افزایش شدت پیک رامان با افزایش...

بررسی وابستگی میکروساختارهای سطحی سیلیکان متخلخل و خواص اپتیکی آن

  We have studied the effect of increasing porosity and its microstructure surface variation on the optical and dielectric properties of porous silicon. It seems that porosity, as the surface roughness within the range of a few microns, shows quantum effect in the absorption and reflection process of porous silicon. Optical constants of porous silicon at normal incidence of light with wavelengt...

full text

My Resources

Save resource for easier access later

Save to my library Already added to my library

{@ msg_add @}


Journal title

volume 14  issue 4

pages  242- 248

publication date 2015-01

By following a journal you will be notified via email when a new issue of this journal is published.

Keywords

No Keywords

Hosted on Doprax cloud platform doprax.com

copyright © 2015-2023