طراحی یک تقویت‌کننده کم‌نویز کسکود ولتاژ پایین با خطینگی بالا به کمک روش تزویج مغناطیسی در باند 45GHz

در این مقاله، یک LNA کسکود ولتاژپایین با خطینگی بالا، با استفاده از روش تزویج مغناطیسی در باند فرکانسی 45GHz با استفاده از تکنولوژی µmRF-0.18CMOS شرکت TSMC ارائه شده است. از روش تزویج مغناطیسی جهت کاهش ولتاژ منبع تغذیه و کاهش اثرات غیرخطی رسانایی درین ترانزیستور کسکود ورودی به‌کار گرفته شده است. به کمک یک ساختار سورس مشترک و ایجاد یک مسیر اضافی اثرات غیرخطی ترارسانایی ترانزیستور ورودی در خروجی طبقه اول کاهش داده شده است. شبکه میان‌گذر ورودی و ساختار شانت-پیکینگ خروجی جهت دستیابی به تطبیق پهن‌باند در ورودی و خروجی تقویت‌کننده به کار گرفته شده‌اند. این LNA دو طبقه دارای بهره سیگنال کوچک dB9 و عدد نویز dB4 در فرکانس GHz45 است. مقدار IIP3 تقویت‌کننده کم‌نویز پیشنهادشده +3.8dBm بوده که در مقایسه با ساختار کسکود با استفاده از روش تزویج پایه +7dBm بهبود داشته است. این تقویت‌کننده دارای پهنای باند 3dB، 10GHz بوده و تلفات بازگشت در سرتاسر پهنای باند بهتر از 10dB است. تقویت‌کننده کم‌نویز پیشنهادی با ولتار منبع تغذیه 0.6 ولت دارای توان تلفاتی  6.8mWاست.