رسانش الکترونی یک نانوسیم شامل اتم های مرتعش سطحی
Authors
Abstract:
در این مقاله با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت تنگ بست و رژیم پاسخ خطی، به مطالعه ی رسانش الکتریکی یک نانوسیم شامل اتم های سطحی مرتعش که بین دو هادی صلب ساده قرار گرفته است، پرداخته ایم. با بهره گیری از فضای فوک، اثر برهمکنش الکترون ـ فونون را در ضریب عبور الکترونی مورد بررسی قرار داده ایم. نتایج نشان می دهد که مکان قله های تشدیدی رسانش با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون به سمت انرژی های پایین تر جابه جا شده و قله های جدیدی نیز در طیف رسانش پدیدار می شود. همچنین برای یک مقدار ثابت قدرت برهمکنش، با کاهش مقدار انرژی پرش الکترون در اتصال ها، قله های تشدیدی تیزتر و دره ها عمیق تر می شوند.
similar resources
بررسی رسانش الکترونی یک نانوسیم سه پایانهای
در این مقاله رسانش الکترونی یک زنجیرهی ساده و یک چند پار پلی استیلنی که هر یک به سه هادی ساده متصل میشود، بررسی میشود. محاسبات براساس رهیافت تنگابست و به روش تابع گرین در تقریب نزدیکترین همسایه انجام شده است. دو نوع رسانش یکی آنچه بین هادیهای چپ و راست و دیگری آنچه بین هادیهای چپ و بالا وجود دارد، به صورت تابعی از انرژی محاسبه شده و رفتار آنها نسبت به مکان اتصال هادی بالا مورد مطالعه قرا...
full textبررسی رسانش الکترونی یک نانوسیم سه پایانه ای
در این مقاله رسانش الکترونی یک زنجیره ی ساده و یک چند پار پلی استیلنی که هر یک به سه هادی ساده متصل می شود، بررسی می شود. محاسبات براساس رهیافت تنگابست و به روش تابع گرین در تقریب نزدیک ترین همسایه انجام شده است. دو نوع رسانش یکی آنچه بین هادی های چپ و راست و دیگری آنچه بین هادی های چپ و بالا وجود دارد، به صورت تابعی از انرژی محاسبه شده و رفتار آن ها نسبت به مکان اتصال هادی بالا مورد مطالعه قرا...
full textمطالعۀ رسانش گرمایی نانوسیم های کوانتومی Si و GaAs
در این مقاله رسانندگی گرمایی در یک دستگاه یکبُعدی، شامل نانوسیمهای نیمرسانا با جنس سیلیکن و گالیوم آرسنیک محاسبه و رسم شده است. روش بهکاررفته حل معادلۀ بولتزمن برای پراکندگی فونونی است. در مواردی که پراکندگی خالص فصل مشترک باشد، رسانندگی هم در نانوسیم سیلیکنی و گالیوم آرسنیکی مقدار بیشتری را نشان میدهد. رسانندگی با افزایش قطر نانوسیم افزایش مییابد. دو مدل متفاوت برای رسانندگی در این پژوهش ...
full textرسانش الکترونی یک مولکول خطی سه اتمی در دمای غیر صفر
در این مقاله رسانش الکترونی مولکول خطی سه اتمی که بین دو هادی نیمه نامتناهی ساده قرار دارد، با استفاده از روش استاندارد تابع گرین در رهیافت تنگ بست، به دست می آید. با در نظر گرفتن اثر برهمکنش الکترون ـ فونون و تغییرات دما در رژیم بی دررو، رسانش الکترونی سامانه ی مرکزی بررسی می شود. نتایج نشان می دهد که با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون میزان پراکندگی الکترونی در اثر برخورد با اتم های مرتعش...
full textمطالعه نظری رسانش الکترونی در یک سامانهکوانتومی با الکترودهای دو زنجیری
در این تحقیق، ویژگی¬های رسانش الکترونی یک سامانه کوانتومی متشکل از یک وسیله با شبکه مربعی متصل به دو الکترود فلزی نیم نامتناهی را مطالعه می¬نماییم. رسانش الکترونی سامانه، بر اساس مدل تنگابست با تقریب نزدیک¬ترین همسایه¬ها و در رژیم جفتشدگی قوی بررسی می¬شود. همچنین رهیافت تابع گرین برگشتی برای محاسبات عددی رسانش مورد استفاده قرار می¬گیرد. نتایج نشان می¬دهد که با تغییر پهنای سامانه و اعمال میدان ...
full textMy Resources
Journal title
volume 6 issue ویژه نامه شماره 1
pages 1- 6
publication date 2016-11-21
By following a journal you will be notified via email when a new issue of this journal is published.
Keywords
Hosted on Doprax cloud platform doprax.com
copyright © 2015-2023