حساس سازی همزمان سلولهای خورشیدی نقاط کوانتومی متشکل ازفوتوآند نانوبلوری TiO2 با نانوذرات CdS و PbS و بررسی تأثیر نقاط کوانتومی PbS بر عملکرد سلول خورشیدی
Authors
Abstract:
In this research, CdS and PbS quantum dots were applied as the light sensitizers in TiO2 based nanostructured solar cells. The PbS quantum dots could absorb a wide range of the sunlight spectrum on earth due to their low bandgap energy. As a result, the cell sensitization is more effective by application of both CdS and PbS quantum dots sensitizers. The TiO2 nanocrystals were synthesized through a hydrothermal process and deposited on FTO glass substrates as the photoanode scaffold. Then PbS quantum dots were grown on the surface of this nanocrystalline layer by a successive ionic layer adsorption and reaction (SILAR) method. The CdS quantum dots were over-grown in the next step through a similar deposition method. Finally this sensitized layer was applied as the photoelectrode of the corresponding quantum dot sensitized solar cells. The results demonstrated that the maximum efficiency was achieved for the cell with a photoanode made of co-sensitization through 2 and 6 cycles of PbS and CdS deposition, respectively. The photovoltaic parameters of this cell were measured as Jsc of 10.81 mA/cm2, Voc of 590 mv and energy conversion efficiency of 2.7±0.2%
similar resources
اثر پیری نقاط کوانتومی در سلولهای خورشیدی حساس شده با نانوبلورهای CdS وPbS
In this research, solar cells sensitized with CdS and PbS Nanocrystalline metal sulfides, chemically grown by SILAR, were fabricated and characterized. PV experiments including I-V test in the presence of light and dark,Vocdecay, and Electrochemical impedance spectroscopy were performed on the Cells made through this method in the presence of light and dark and in the time period of 2, 3, 6 and...
full textاثر پیری نقاط کوانتومی در سلول های خورشیدی حساس شده با نانوبلورهای cds وpbs
در این مقاله سلول های خورشیدی حساس شده با نانوبلور های سولفید فلزی cds و pbs رشد داده شده به روش شیمیایی silar ، ساخته و مشخصه یابی شدند. سلول های ساخته شده با این روش، در مجاورت نور و تاریکی در دوره های زمانی 2، 3، 6 و10 روز پس از ساخت مورد آزمایش های فوتوولتائیک مانند : آزمایش تعیین نمودار جریان- ولتاژ سلول در مجاورت نور و در تاریکی، آزمایش افت ولتاژ مدار باز سلول و آزمایش طیف نگاری امپدانس ا...
full textبررسی عوامل افزایش بازده در سلول خورشیدی ناهمجنس با نقاط کوانتومی
ضخامت لایۀ نقاط کوانتومی و نیمهرسانای شفاف با شکاف بزرگ، میزان ناخالصی لایۀ نقاط کوانتومیو نوع فلز آند از جمله عوامل تأثیرگذار بر بازدهِ سلولهای خورشیدی نقطۀ کوانتومی ناهمجنس (HQDSC) میباشند. در این مقاله با استفاده از نرمافزار کامسول نسخه 4/5، ابتدا سلولی شامل یک لایه از نقاط کوانتومی سولفید سرب (PbS) پوشیده از لیگاندهای کوتاه و یک لایه نیمهرسانای اکسید روی (ZnO) و آندی از جنس طلا شبیهسا...
full textبررسی ویژگیهای فتوولتایی سلول خورشیدی بسپاری حاوی نقاط کوانتومی با لیگاند پروسکایتی
در مطالعه حاضر برای نخستین بار اثر حضور نقاط کوانتومی سرب سولفید و تعویض لیگاند آن از لیگاند عایق و بلند زنجیره اولئیک اسید به لیگاند پروسکایتی کوتاه زنجیره متیلآمونیمسرب یدید بر ویژگیهای فتوولتایی سلول خورشیدی ناهمگون حجمی بر پایه بسپار پلیتریهگزیلتیوفن (P3HT) و یکی از مشتقات فولرنها (PC61BM) موردبررسی قرارگرفته است. نتایج طیف جذبی بهدستآمده در محدوده طولموجهای مرئی و نزد...
full textبررسی اثر آلاییدن نقاط کوانتومی cdsبا یون های روی بر روی بازدهی سلول های خورشیدی حساس شده با نقاط کوانتومی
به دلیل افزایش نیاز بشر به منابع انرژی پاک وکمبود سوخت¬های فسیلی یکی از منابع تجدید شونده انرژی در دهه آینده،انرژی خورشید است. که به کمک پدیده فوتوولتاییک می توانیم این نور را به یک خروجی قابل قبول تبدیل کنیم. تا به امروز سه نسل از سلول های خورشیدی ساخته شده اند، که با توجه به مزایا و معایب این سه نسل،ما در اینجا از نسل سوم سلول های خورشیدی،یعنی سلول های خورشیدی حساس شده با نقاط کوانتومی استفاد...
طراحی و شبیهسازی سلول خورشیدی سهپیوندی بر مبنای چاه کوانتومی
In this paper, the purpose is to improve the efficiency of triple-junction solar cell by introducing quantum well into GaAs junction. Firstly, InGaP/GaAs/InGaAs triple-junctions solar cell has been simulated. Then, a multiple stepped quantum wells (MSQWs), in which InGaAs well is sandwiched by InGaAsP as stepped layer, and the barrier is GaAs, has been introduced into intrinsic region of single...
full textMy Resources
Journal title
volume 17 issue 3
pages 499- 507
publication date 2017-09
By following a journal you will be notified via email when a new issue of this journal is published.
No Keywords
Hosted on Doprax cloud platform doprax.com
copyright © 2015-2023