بررسی قطبش ماکروسکوپیک در نیمه‌هادی‌های آلومینیم نیترید،گالیم نیترید و آلومینیم گالیم نیترید و تأثیر میزان غلظت آلومینیم بر گاف نواری و قطبش ماکروسکوپیک در نیمه‌هادی آلومینیم گالیم نیترید
Authors
Abstract:
در این مقاله ساختار الکترونی -کریستالی ترکیب‌های نیمه‌هادی گالیم نیترید، آلومینیوم نیترید و آلومینیوم گالیم نیترید که قطبش‌پذیری خودبه‌خودی در راستای محور 0001 دارند و از خصلت پیزوالکتریکی خوبی برخوردار هستند، مورد مطالعه قرار گرفتند. بررسی پارامترهای ساختاری، گاف نواری، عامل قطبش‌پذیری و شدت آن برای نیمه‌هادی‌های دوگانه آلومینیوم نیترید، گالیم نیترید و تأثیر متقابل آنها در جایگزینی گالیم با آلومینیوم در نیمه‌هادی سه‌گانه آلومینیوم گالیم نیترید از طریق نظریة تابعی چگالی در به‌کارگیری نرم‌افزار Win2k و با رویکرد فاز بری انجام پذیرفت. نتایج حاصل از محاسبات نشان‌دهندة میزان بالای قطبش‌پذیری خودبه‌خودی و پیزوالکتریکی و در مجموع قطبش ماکروسکوپیک در این نیمه‌هادی‌های نیتریدی بود. محاسبة قطبش برای ترکیب سه‌تایی آلومینیوم گالیم نیترید با غلظت آلومینیوم در ترکیب به اندازة 5/37 و 5/12 درصد به منظور بررسی اثر غلظت آلومینیوم بر پارامترهای ذکر شده انجام گرفت. نتیجة این محاسبات نیز نشان داد که میزان قطبش در این آلیاژ سه‌تایی نیتریدی (AlxGa1-xN) با افزایش میزان آلومینیوم در ترکیب افزایش می‌یابد. سهم زیادی از قطبش ماکروسکوپیک مربوط به قطبش خودبه‌خودی است، ضمن اینکه مقدار قطبش خودبه‌خودی با میزان غلظت کاتیون آلومینیوم در ترکیب، یک وابستگی غیرخطی دارد. همچنین محاسبات ساختار نواری ترکیبات نشان داد که در همگی آنها گاف نواری در راستای Γ و مستقیم است و با کاهش میزان غلظت آلومینیوم در ترکیب نیم‌رسانای AlxGa1-xN، میزان آن کاهش می‌یابد.
similar resources
بررسی قطبش ماکروسکوپیک در نیمه هادی های آلومینیم نیترید،گالیم نیترید و آلومینیم گالیم نیترید و تأثیر میزان غلظت آلومینیم بر گاف نواری و قطبش ماکروسکوپیک در نیمه هادی آلومینیم گالیم نیترید
در این مقاله ساختار الکترونی -کریستالی ترکیب های نیمه هادی گالیم نیترید، آلومینیوم نیترید و آلومینیوم گالیم نیترید که قطبش پذیری خودبه خودی در راستای محور 0001 دارند و از خصلت پیزوالکتریکی خوبی برخوردار هستند، مورد مطالعه قرار گرفتند. بررسی پارامترهای ساختاری، گاف نواری، عامل قطبش پذیری و شدت آن برای نیمه هادی های دوگانه آلومینیوم نیترید، گالیم نیترید و تأثیر متقابل آنها در جایگزینی گالیم با آل...
full textدیفوزیون گالیم در آلومینیم
هدف از انجام این آزمایشات این است که سرعت دیفوزیون فلز گالیم را در آلومینیم مطالعه کنیم و به عبارت دیگر باید مشخص نمود که در لحظه t فلز گالیم تا چه عمق در فلز آلومینیم پیشروی کرده است در اثر آزمایش می توان با مقایسه نتایج عملی و یک محاسبه نظری صحت رابطه پترسون را مشخص کرد . مطالعه این نوع دیفوزیون نیز از نقطه نظر کیفی برای قضاوت بر روی نظریه های دیفوزیون در مقیاس میکروسکپی بسیار مفیداست . ن...
full textدیفوزیون گالیم در آلومینیم
هدف از انجام این آزمایشات این است که سرعت دیفوزیون فلز گالیم را در آلومینیم مطالعه کنیم و به عبارت دیگر باید مشخص نمود که در لحظه t فلز گالیم تا چه عمق در فلز آلومینیم پیشروی کرده است در اثر آزمایش می توان با مقایسه نتایج عملی و یک محاسبه نظری صحت رابطه پترسون را مشخص کرد . مطالعه این نوع دیفوزیون نیز از نقطه نظر کیفی برای قضاوت بر روی نظریه های دیفوزیون در مقیاس میکروسکپی بسیار مفیداست . ن...
full textبررسی رفتار حرارتی و مکانیکی نیترید آلومینیم پیوند واکنشی
در کار حاضر، بدنه های نیترید آلومینیومی توسط فرآیند پیوند واکنشی (rban) تهیه گردیده است. نمونه های مورد آزمایش از اختلاط پودر ain با درصدهای مختلف وزنی پودر فلزی al با دو موفولوژی پولکی و ذره ای و متوسط اندازه ذرات 10،20،30 و 40 میکرومتر تهیه و در کوره تیوبی در اتمسفر نیتروژن نیتریده گردیده است.نتایج نشان می دهد که در محدوده 25-15 درصد وزنی پودر فلزی بیشترین درصد تبدیل پودر al ب...
15 صفحه اولبررسی تأثیر همزمان ذرات کاربید سیلیسیم نانو و میکرون بر خواص ریزساختاری و رفتار مکانیکی کامپوزیت بر پایه دیبورید زیرکونیم تقویت شده با نیترید آلومینیم
در این تحقیق، تف جوشی نانوکامپوزیت ZrB2-SiC به روش تف جوشی بدون فشار بررسی گردید. از پودر AlN در مقیاس میکرون به عنوان تقویتکننده استفاده شد. به منظور بررسی تأثیر حضور همزمان ذرات SiC نانو و میکرون ابتدا پودر ZrB2 به همراه درصدهای مختلف از SiC نانو و میکرون در آسیاب سیارهای با به مدت 2 ساعت با سرعت rpm200 آسیاب شدند. مخلوط حاصل ابتدا توسط پرس تک محوری در دمای oC80و فشار MPa100 پرس گردید و سپ...
full textبررسی اثر لایه های سد و پوش بر عملکرد سلول خورشیدی با ساختار چاه کوانتومی گالیم نیترید/ایندیوم گالیم نیترید
خواص ساختاری منحصر به فرد iii- نیتریدها این مواد را به گزینه مناسبی برای ساخت ادوات اپتوالکترونیک، به ویژهledها و سلول های خورشیدی تبدیل کرده است. ingan به دلیل دارا بودن گاف باندی مستقیم و تنظیم پذیر برای تمامی محدوده مفید طیف خورشیدی، ماده ایده آلی برای استفاده در ادوات فوتوولتائیک به شمار می رود. از طرفی به دلیل محدودیت ضخامت در لایه های شامل ایندیوم، نمی توان این لایه ها را در ابعاد کپه ای ...
My Resources
Journal title
volume 1 issue 2
pages 45- 54
publication date 2016-11-21
By following a journal you will be notified via email when a new issue of this journal is published.
Hosted on Doprax cloud platform doprax.com
copyright © 2015-2023