بررسی اثر مقدار نیتروژن بر خصوصیات ساختاری ، فازی و مورفولوژی سطح لایه های نازک نیترید تنگستن

Authors

  • سمیه عسگری گروه فیزیک .دانشکده علوم پایه .دانشگاه ازاد تهران غرب
Abstract:

لایه های نیترید تنگستن با ساختاری بلوری به روش تبخیر شیمیایی و در غلظتهای مختلفی از گاز نیتروژن در ترکیب گازی آرگون و نیتروژن تولید شد. نتایج بدست آمده نشان می دهد که غلظت نیتروژن در گاز ترکیبی تاثیر بسزایی روی ساختار، فازهای تشکیل شده، مورفولوژی سطح لایه ها و حتی اندازه دانه ها دارد. پراش اشعه ایکس، ساختار بلوری هگزاگونال WN را در نمونه های با غلظت کم نیتروژن )%10N2=، %30N2= و %50N2= (نشان می دهد و لایه ها دارای مورفولوژی غیریکنواخت با سطوحی زبر هستند. در غلظتهای بالاتر نیتروژن(%80N2= و%100N2= ) تغییر فاز رخ می دهد و دو ساختار بلوری مربعی W2N و WNهگزاگونال مشاهده می شود.بنظر میرسد که غلظت نیتروژن در جهت رشد ترجیحی فازهای بلوری نیز تاثیر بسزایی دارد. لایه ها دارای سطوحی صاف و زبری کم می باشند. تصاویر میکروسکوپ پراش الکترونی ساختار ستونی برای غلظتهای کم نیتروژن و ساختار چگال و غیر ستونی را برای غلظتهای بالای نیتروژن نشان می دهد.

Upgrade to premium to download articles

Sign up to access the full text

Already have an account?login

similar resources

بررسی اثر میان لایه تیتانیومی بر خواص مکانیکی و ساختاری اتصال نفوذی فولاد- تنگستن

در این بررسی اتصال نفوذی فولاد- تنگستن با استفاده از لایه میانی تیتانیومی خالص انجام شد. نمونه­ها در فیکسچر مناسب تحت فشار MPa 5 درون کوره با اتمسفر آرگون در دما­ها و زمان­های مختلف قرار گرفتند. تصاویر میکروسکوپ نوری و میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) نمونه­ها نشان­دهنده تشکیل ناحیه نفوذی قابل تشخیص در فصل مشترک تنگستن- تیتانیوم و نفوذ بسیار کم تیتانیوم در فولاد است. همچنین با افزایش زمان و دمای ...

full text

اثر مدت زمان اکسیداسیون حرارتی لایه‏های نازک Zn فلزی بر روی مورفولوژی و خصوصیات ساختاری نانوسیم‏های اکسید روی

در این پژوهش نانوسیم‏های اکسید روی با خواص ساختاری بالا از طریق اکسیداسیون حرارتی لایه‏های نازک Zn فلزی رشد داده شدند. فیلم‏های Zn با ضخامت 250 نانومتر با استفاده از تکنیک تبخیر در خلاء بر روی زیرلایه شیشه لایه نشانی گردیدند. جهت رشد نانوسیم‏های اکسید روی، فیلم‏های Zn لایه‏نشانی شده به مدت 30 دقیقه، 1ساعت و 3 ساعت در دمای ˚C600 در محیط هوا با استفاده از یک کوره افقی اکسید شدند. مورفولوژی سطح نم...

full text

بررسی اثر استفاده از رادیکال های گازی سیستم گازی آمونیاک و تری کلروسیلان بر رشد و خصوصیات لایه نازک نیترید سیلیکون آمورف لایه نشانی شده به روش لایه نشانی شیمیایی از فاز بخار در فشار پایین

In this paper, preparation and characterization of a-SiNx thin films deposited by LPCVD method from free radicals of TCS and NH3 gaseous system were investigated. These radicals are made by passing each of the precursor gases separately over Pt-Ir/Al2O3 catalyst at the temperature of 600 ᐤC. Kinetics of this process was investigated at different total pressures, NH3/TCS flow rate ratios and te...

full text

بررسی اثر سطوح مختلف نیتروژن و پتاسیم بر خصوصیات مورفولوژی وشیمیایی گیاه استویا (Stevia rebaudiana Bertoni)

      به منظور بررسی اثرسطوح مختلف نیتروژن و پتاسیم بر خصوصیات مورفولوژیکی و شیمیایی گیاه دارویی استویا تحت شرایط گلخانه، آزمایشی در سال زراعی 1389 در پژوهشکده بیوتکنولوژی شمال کشور به صورت آزمایش فاکتوریل در قالب کامل تصادفی در چهار تکرار انجام شد که در آن نیتروژن در چهار سطح (صفر،20،40،60) کیلوگرم در هکتار و پتاسیم در چهار سطح (40،30،20 و صفر) کیلوگرم در هکتار در نظر گرفته شد. صفات مورد انداز...

full text

لایه نشانی و تعیین خواص نوری نیترید سیلیسیم در محیط های آرگن و نیتروژن

�لایه های نازک نیترید سیلیکون برروی زیرلایه بس کریستال سیلیکون و شیشه نازک بااستفاده از روش کندوپاش RF لایه نشانی شده اند. لایه نشانی یک بار در محیط گاز آرگن و بار دیگر در محیط گاز نیتروژن انجام شده� است. با تغییر توان لایه نشانی نسبت نیتروژن و سیلیکون موجود در لایه تغییرمی کند و لایه هایی با خواص نوری متفاوت به دست می آید. تأثیرات ناشی از تغییرات توان RF برروی خواص نوری و ترکیبات موجود در لایه...

full text

My Resources

Save resource for easier access later

Save to my library Already added to my library

{@ msg_add @}


Journal title

volume 8  issue 1

pages  47- 59

publication date 2019-02-16

By following a journal you will be notified via email when a new issue of this journal is published.

Hosted on Doprax cloud platform doprax.com

copyright © 2015-2023