بررسی اثر استفاده از رادیکال های گازی سیستم گازی آمونیاک و تری کلروسیلان بر رشد و خصوصیات لایه نازک نیترید سیلیکون آمورف لایه نشانی شده به روش لایه نشانی شیمیایی از فاز بخار در فشار پایین
Authors
Abstract:
In this paper, preparation and characterization of a-SiNx thin films deposited by LPCVD method from free radicals of TCS and NH3 gaseous system were investigated. These radicals are made by passing each of the precursor gases separately over Pt-Ir/Al2O3 catalyst at the temperature of 600 ᐤC. Kinetics of this process was investigated at different total pressures, NH3/TCS flow rate ratios and temperatures. Surface topography and chemical concentrations were studied by Ellipsometry, XXPS, AFM and ADP. Our analyses of the performed experiments indicated that at the temperatures between 730 ᐤC and 830 ᐤC, the growth rate of thin films follows an Arrhenius behavior with activation energy of 166.3 KJ.mol-1. The measured H2 contamination in a-SiNx thin films is 1.05 at%, which is 17 times lower than the corresponding contamination in the films produced by PECVD and 3.4 times lower than the contamination in the LPCVD thin films with SiH4 or DCS and NH3. The created surface topography of the prepared films is smooth and uniform.
similar resources
لایه نشانی نازک سنسور گازی مبتنی برنیمه هادی اکسید قلع با روش غوطه وری
In this paper, the designing and nano-manufacturing of the SnO2 sensors by the Dip-Coating method is reported to detect CO2 in a gaseous environment by its characteristic absorption. In addition, in order to prepare the Sol-Gel solution, SnCl2 as a primary material with different concentration is selected to deposit in diverse thicknesses. After the SnO2 deposited thin-film with different ...
full textبررسی اثر نوع الکترولیت بر رفتار الکتروکرومیک لایه نازک اکسیدآهن ایجاد شده به روش لایه نشانی الکتروشیمیایی
لایه?های نازک اکسیدآهن با ضخامت 300 نانومتر به روش لایه ?نشانی الکتروشیمیایی بر روی شیشه رسانا FTO �نشانده و در دمای 300 درجه سانتی?گراد پخت شده?اند. به منظور تعیین ساختار، مورفولوژی سطح ، بررسی خواص الکتروکرومیک و اپتیکی لایهنازک اکسید آهن به ترتیب از آنالیزهای XRD،SEM ، ولتامتری چرخه?ای (CV)، کرونوآمپرومتری (CA) و �UV/Visاستفاده گردید. نتایج نشان می?دهند که لایه نازک اکسید آهن با فاز کریستالی...
full textبررسی اثر زمان لایه نشانی بر خواص فیزیکی لایه های نازک N:ZnO
در این تحقیق لایه‌های نازک N:ZnO روی زیر لایه شیشه با استفاده از کندوپاش DC در فشار کاری Torr 2-10×2 در مخلوط گازهای آرگون و نیتروژن لایه نشانی شدند. ضخامت، ریخت‌شناسی، ساختار کریستالی و خواص اپتیکی لایه‌ها در سه زمان کندوپاش مختلف شناسایی شدند. با افزایش زمان لایه نشانی، ضخامت لایه‌ها، زبری سطح و ارتفاع دانه‌ها افزایش می‌یابد. لایه‌ها دارای بافت قوی کریستالی در راستای (002) با ساختار هگزاگونال...
full textتهیه فیلم‌های نازک (نازک لایه) از ترکیبات آلی با استفاده از لایه نشانی چرخشی و لانگمور- بلاجت
فیلم نازک (نازک لایه)، لایه‌ای از مواد آلی با ضخامتی در حد نانومتر تا میکرومتر است. سنتز کنترل‌شده فیلم‌های نازک موضوع مهمی در کاربردهای آنهاست. فیلم های نازک آلی با ضخامت نانومتری، ساختارهایی مفید برای کاربرد در حسگرها، شناساگرها، نمایشگرها و اجزای مدارهای الکترونیکی به‌شمار می‌آیند. لایه نشانی چرخشی و لانگمور- بلاجت از روش‌های کاربردی تهیه فیلم‌های نازک محسوب می‌شوند. در لایه نشانی چرخشی، نیر...
full textMy Resources
Journal title
volume 31 issue 2
pages 53- 63
publication date 2012-12
By following a journal you will be notified via email when a new issue of this journal is published.
No Keywords
Hosted on Doprax cloud platform doprax.com
copyright © 2015-2023