اندازه‌گیری پویش آزاد میانگین الکترون در لایه‌های نازک Ni و چند لایه‌ایهای نازک Ni/Cu از طریق مطالعه بستگی مقاومت الکتریکی به ضخامت لایه‌ها
author
Abstract:
The Boltzmann equation is a semiclassical approach to the calculation of the electrical conductivity. In this work we will first introduce a simple model for calculation of thin film resistivity and show that in an appropriate condition the resistivity of thin films depends on the electron mean free path, so that studying and measurement of thin films resistivity as a function of film thickness would lead to calculation of the electron mean free path in the films. Ni single layers and Ni/Cu multilayers were grown using electrodeposition technique in potentiostatic mode. The films also characterized using x-ray diffraction technique and the results show at least in the growth direction, the films were grown epitaxially and follow their substrate textures.
similar resources
اندازه گیری پویش آزاد میانگین الکترون در لایه های نازک ni و چند لایه ایهای نازک ni/cu از طریق مطالعه بستگی مقاومت الکتریکی به ضخامت لایه ها
در این کار ضمن ارایه یک مدل ریاضی برای محاسبه مقاومت ویژه لایه های نازک, تغییرات مقاومت الکتریکی ویژه بر حسب ضخامت برای تک لایه ایهای نازک ni و چند لایه ایهای نازک ni/cu مورد مطالعه قرار گرفت. لایه ها به روش الکتروانباشت از یک محلول الکترولیت شامل یونهای ni و cu رشد یافتند. ضخامت لایه ها از 200 تا 2000نانومتر تغییر داده شد. نقش پراش پرتوایکس (xrd) تعدادی از لایه های نازک ni/cu بیانگر ساختار چند...
full textمطالعه رسانندگی و اختلاف سطح الکتریکی در لایه های نازک چند بلوری CuInTe2 و CuInSe2 همراه با ناخالصی اندیم
مواد CuInTe2 و CuInSe2 از نوع مثبت (P ) چند بلوری هستند که با افزودن درصدی اندیم به ترکیب عنصری این مواد، قابلیت رسانندگی آنها افزایش می یابد. با تغییر ضریبهای هال RH<...
full textبهبود برآورد ضخامت لایه‌های نازک در حوزه کوفرنسی
در لرزه‌شناسی تهیه یک مقطع لرزه‌ای با قدرت تفکیک زیاد همواره یکی از اهداف پردازشگران و مفسران است و برآورد ضخامت لایه‌ها، به‌خصوص لایه‌های نازک یکی از ابزارهای مهم برای رسیدن به این هدف است. لایه‌های نازک موجب می‌شوند تا قله‌ها و شکاف‌های متناوبی در طیف دامنه ردلرزه تولید شود. در روش تجزیه طیفی که مرسوم‌ترین روش است، بسامد مربوط به اولین قله در طیف دامنه ردلرزه دو برابر می‌شود تا زمان تناوب شکا...
full textتاثیر ضخامت و آلایش- F در بهینه‌سازی خواص الکتریکی و اپتیکی لایه‌های نازک رسانای شفاف FTO(SnO2:F)
در این پژوهش لایه‌های نازک رسانا و شفاف FTO را به روش اسپری بر روی زیرلایه‌های شیشه لایه نشانی کرده‌ایم. تاثیر حجم محلول (ضخامت لایه‌ها) و نسبت آلایش F را بر خواص الکتریکی و اپتیکی لایه‌ها مورد بررسی قرار گرفت. مورفولوژی نانوساختارها و نحوه رشد آنها را توسط تصاویر SEM مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفت. طیف عبور اپتیکی توسط دستگاه طیف‌سنج Optics Ocean و مقاومت سطحی لایه‌ها بر حسب حجم محلول (ضخامت ل...
full textگرمای ویژه و پذیرفتاری الکتریکی لایه‌های نازک فروالکتریک
In this paper, ferroelectric thin films, described by an ising model in a transverse field, have been studied under the mean-field approximation. We discuss a thin film composed of N-layer film of simple cubic symmetry with nearest-neighbor exchange in which the exchange strength and transverse field are assumed to be different from the bulk values in Ns surface layers, and we derive and illust...
full textMy Resources
Journal title
volume 7 issue 3
pages 151- 159
publication date 2007-09
By following a journal you will be notified via email when a new issue of this journal is published.
No Keywords
Hosted on Doprax cloud platform doprax.com
copyright © 2015-2023