The geometrical basis of crystal chemistry. Part 5: correction
نویسندگان
چکیده
منابع مشابه
the effects of error correction methods on pronunciation accuracy
هدف از انجام این تحقیق مشخص کردن موثرترین متد اصلاح خطا بر روی دقت آهنگ و تاکید تلفظ کلمه در زبان انگلیسی بود. این تحقیق با پیاده کردن چهار متد ارائه اصلاح خطا در چهار گروه، سه گروه آزمایشی و یک گروه تحت کنترل، انجام شد که گروه های فوق الذکر شامل دانشجویان سطح بالای متوسط کتاب اول passages بودند. گروه اول شامل 15، دوم 14، سوم 15 و آخرین 16 دانشجو بودند. دوره مربوطه به مدت 10 هفته ادامه یافت و د...
15 صفحه اولthe effect of explicit versus implicit error correction on writing of iranian intermediate efl learners
در این پایان نامه دو روش اصلاح اشتباهات نوشتاری زبان آموزان بزرگسال ایرانی در سطح متوسط مورد بررسی قرار می گیرد. در روش اول (explicit) اشتباهات بطور مستقیم و در روش دوم (implicit) اشتباهات بصورت غیر مستقیم اصلاح می شود. برای انجام این تحقیق از دو گروه 15 نفری استفاده شده است. به زبان آموزان در هر جلسه یک موضوع انشا داده شده است. این کار در 15 هفته (15 جلسه) تکرار شده است. مقایسه نتایج این آزمون...
The Crystal Chemistry of Nepheline
The crystal structures of three nepheline samples, (1) K1.91 Na6.04 Si8.15 Al7.72 Fe0.10 O32, a 9.9995(6), c 8.384(2) Å, P63, Z = 1, Dx = 2.673 g cm–3, from the Khibina–Lovozero complex, Kola Peninsula, Russia, (2) K1.60 Na6.21 Ca0.08 Si8.44 Al7.43 O32, a 9.985(1), c 8.372(1) Å, P63, Z = 1, Dx 2.660 g/cm3, from Bancroft, Ontario, Canada, and (3) K1.76 Na5.86 Ca0.13 Si8.12 Al7.84 Fe0.04 O32, a 9...
متن کاملThe molecular basis of memory. Part 2: chemistry of the tripartite mechanism.
We propose a tripartite mechanism to describe the processing of cognitive information (cog-info), comprising the (1) neuron, (2) surrounding neural extracellular matrix (nECM), and (3) numerous "trace" metals distributed therein. The neuron is encased in a polyanionic nECM lattice doped with metals (>10), wherein it processes (computes) and stores cog-info. Each [nECM:metal] complex is the mole...
متن کامل[Crystal chemistry of hydroxyapatite].
X線 回折 法 に よる結 晶構 造 解 析 は,大 き さ0 .1 ~1mmの 単 結 晶 が あ れ ば ,原 子 の三 次 元 配 列 を 決 定 す る こ とが で き,原 子 間 距 離,結 合 角,配 位 数 な どの化 学 結 合 に 関 す る知 識 が 直 接 得 られ る非 常 に 優 れ た 方法 で あ る。 結 晶構 造 を決 定 す る過 程 は,次 の二 つ の段 階 に分 け られ る。 第1は ,単 結 晶 を 選 んで ワイ セ ンベ ル グ写 真 法 な どに よ って 晶 系,格 子 定 数,空 間 群 を 決 め,比 重 測 定 に よ って 単 位 格 子 内 の 化 学 単 位 数 を 決 定 す る過程 で あ る。 第2は,単 結 晶 のX線 回 折 強 度 か ら各原 子 の座 標 を 決 定 す る過 程 で あ る。 こ の過...
متن کاملذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: Acta Crystallographica
سال: 1955
ISSN: 0365-110X
DOI: 10.1107/s0365110x55001904